ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > FDG6321C
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDG6321C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6321C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6321C价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6321C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array N and P-Channel 25V 500mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)。您可以下载FDG6321C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG6321C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG6321C是安森美(ON Semiconductor)生产的一款双P沟道增强型MOSFET阵列,采用小型化封装(如SC-70或SOT-363),适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低功耗、高效率开关控制的场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,实现对不同模块的上电时序管理与节能控制。 2. 信号切换:在模拟或数字信号路径中作为开关元件,用于音频线路切换、传感器信号选择等。 3. 电平转换:配合其他逻辑电路实现不同电压域之间的电平转换,适用于低压逻辑接口(如1.8V与3.3V系统间通信)。 4. LED背光驱动:在小型显示屏中用于控制LED背光的开启与关闭。 5. 便携设备中的H桥或半桥驱动:适用于微型电机或电磁阀的低功率驱动电路。 FDG6321C具有低导通电阻(RDS(on))、低阈值电压和良好的热稳定性,支持高效的直流开关操作。其双P沟道设计便于简化电路布局,减少外围元件数量,提高系统可靠性。由于采用小型封装,特别适合高密度PCB设计,广泛用于消费类电子产品、工业控制模块及物联网终端设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA, - 410 mA |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA, - 410 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6321C- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG6321C |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 8.5 ns, 8 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns, 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 450 毫欧 @ 500mA,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG6321CCT |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns, 55 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.45 S, 0.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 500mA,410mA |
| 系列 | FDG6321C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
| 零件号别名 | FDG6321C_NL |