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Datasheet下载- 型号： DMN2040LTS-13
- 制造商： Diodes Inc.
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DMN2040LTS-13产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2040LTS-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2040LTS-13价格参考。Diodes Inc.DMN2040LTS-13封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.7A (Ta) 890mW Surface Mount 8-TSSOP。您可以下载DMN2040LTS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2040LTS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN2040LTS-13 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，采用 SOT-26 封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率。该器件适用于对空间和能效要求较高的便携式及电池供电设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于负载开关、电源切换和电池管理系统中，实现高效的电源通断控制。 2. 便携式电子设备：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于信号切换或驱动小型负载。 3. DC-DC 转换器：在同步整流型降压或升压电路中作为开关元件，提高转换效率。 4. 电机驱动：适用于微型直流电机或步进电机的驱动控制，尤其适合低电压、小功率场景。 5. LED 背光驱动：可用于中小尺寸显示屏的 LED 开关控制。 6. 热插拔电路：提供过流保护和软启动功能，防止电流冲击。 DMN2040LTS-13 具有 20V 漏源电压和 4A 连续漏极电流（单通道），支持逻辑电平驱动（1.8V~5V 栅极驱动兼容），便于与微控制器直接接口。其小型封装和高性能特性使其成为高密度 PCB 设计的理想选择。 综上，该型号适用于需要高效、紧凑设计的低功耗系统，在消费电子、工业控制和通信设备中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOPMOSFET ENHANCE MODE MOSFET DUAL N-CHAN |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.7 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2040LTS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2040LTS-13 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.89 W |
| Pd-功率耗散 | 890 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13.5 ns |
| 下降时间 | 6.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | DMN2040LTS-13DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 19.8 ns |
| 功率-最大值 | 890mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.7A |
| 系列 | DMN2040L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
