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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4500BDY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4500BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4500BDY-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4500BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4500BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4500BDY-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,广泛应用于需要高效开关和电源管理的电子系统中。该器件采用小型TSOP封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高密度电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机控制:在直流电机驱动或步进电机控制电路中作为高效开关元件,支持快速响应和精确控制。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器,用于电池充放电管理和电源路径切换。 4. 负载开关与热插拔控制:用于服务器、通信设备和工业控制系统中,实现对负载的快速、安全控制。 5. LED照明系统:在LED驱动电路中用于调光和电流控制,提升能效和稳定性。 该MOSFET阵列的集成特性使其在空间受限和高效率要求的应用中具有显著优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOICMOSFET 20V 7/4.5A 2.5W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道,共漏 |
| Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72281 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4500BDY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4500BDY-T1-E3SI4500BDY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms, 60 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 50 ns, 35 ns |
| 下降时间 | 50 ns, 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 9.1A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4500BDY-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns, 55 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 20 mOhms, 60 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 6.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A,3.8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Half-Bridge |
| 零件号别名 | SI4500BDY-E3 |