ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > NDS9952A
Datasheet下载- 型号： NDS9952A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NDS9952A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS9952A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS9952A价格参考。Fairchild SemiconductorNDS9952A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 3.7A，2.9A 900mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载NDS9952A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDS9952A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDS9952A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列。该型号属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：NDS9952A 常用于便携式设备的电源管理电路中，例如移动设备、笔记本电脑和平板电脑。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 负载开关：在各种电子设备中，该器件可用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态。它能够快速切换以实现动态功耗管理。 3. 电池保护与充电电路：NDS9952A 适用于电池管理系统 (BMS)，用于防止过充、过放以及短路等异常情况。同时，它也参与电池充电路径的控制，确保安全可靠的充电过程。 4. 电机驱动：小型直流电机或步进电机的驱动电路中可以使用 NDS9952A，提供高效的电流切换功能，支持正转、反转及速度调节。 5. 信号切换与隔离：在通信设备或工业控制系统中，这款 MOSFET 阵列可用于信号线路的切换与隔离，保证数据传输的稳定性和可靠性。 6. 音频设备：一些低功率音频放大器可能会采用 NDS9952A 来处理音频信号的开关操作，从而优化音质表现并降低噪声干扰。 7. 消费类电子产品：如数码相机、游戏机、智能家居设备等，利用其紧凑设计和高性能特点来构建更加智能便捷的产品。 总之，NDS9952A 凭借其出色的电气性能和小型化封装形式，在众多领域内得到了广泛应用，满足了现代电子技术对高效率、小型化和低成本解决方案的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOICMOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDS9952A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDS9952A |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns, 21 ns |
| 下降时间 | 5 ns, 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 320pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NDS9952ADKR |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns, 21 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S, 4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A，2.9A |
| 系列 | NDS9952 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | NDS9952A_NL |
