Datasheet下载- 型号： SI7923DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7923DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7923DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7923DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7923DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7923DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7923DN-T1-GE3 是一款包含多个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的FET阵列器件，适用于需要高效功率控制的电子系统。该器件通常采用小型封装，具备低导通电阻和高功率密度的特点，适合在空间受限但对效率和性能要求较高的应用中使用。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关或电源分配系统，提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制电路，尤其在需要多个MOSFET配合工作的H桥驱动中表现优异。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、移动电源等，用于电池充放电管理或电源切换控制。 4. 负载开关与热插拔控制：在服务器或通信设备中，作为高侧或低侧开关，实现对负载的快速、安全控制。 5. 工业控制与自动化：用于PLC模块、传感器控制或执行器驱动电路中，提供可靠的开关性能。 该器件的集成特性有助于减少PCB面积和元件数量，提升系统可靠性，适用于中低功率的开关与控制应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7923DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 6.4A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7923DN-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A |
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