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产品简介:
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NVMFD5489NLT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效功率管理和开关控制的场合。该器件包含多个MOSFET晶体管集成在一个封装中,具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能等特点。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理中,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制:可用于直流电机或步进电机的驱动电路,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 负载开关:在需要频繁开关高电流负载的系统中,如LED照明、工业自动化设备中,作为电子开关使用。 4. 电池供电设备:应用于电池管理系统(BMS)中,用于控制充放电路径,提高能效和系统安全性。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、电动助力转向(EPS)或车载充电器等场景,满足汽车应用中对可靠性和效率的高要求。 总之,NVMFD5489NLT1G适用于各类对空间、效率和性能有较高要求的功率电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DFN8 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFD5489NLT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |