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详细数据请看参考数据手册

型号： STS1DNC45
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STS1DNC45产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STS1DNC45由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS1DNC45价格参考￥2.06-￥2.57。STMicroelectronicsSTS1DNC45封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 450V 400mA 1.6W 表面贴装 8-SO。您可以下载STS1DNC45参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STS1DNC45 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOICMOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	400 mA
Id-连续漏极电流	400 mA
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS1DNC45SuperMESH™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STS1DNC45
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
Qg-GateCharge	7 nC
Qg-栅极电荷	7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.1 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	4.1 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	450 V
Vds-漏源极击穿电压	450 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
上升时间	4 ns
下降时间	4 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	10nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.5 欧姆 @ 500mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	497-12678-1
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67448?referrer=70071840
功率-最大值	1.6W
包装	剪切带（CT）
单位重量	85 mg
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	450V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	400mA
系列	STS1DNC45
通道模式	Enhancement
配置	Dual Dual Drain