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STS1DNC45产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STS1DNC45由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS1DNC45价格参考¥2.06-¥2.57。STMicroelectronicsSTS1DNC45封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 450V 400mA 1.6W 表面贴装 8-SO。您可以下载STS1DNC45参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STS1DNC45 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STS1DNC45是一款双N沟道MOSFET阵列,广泛应用于需要高效开关和功率管理的电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - STS1DNC45适用于各种电源管理系统,例如DC-DC转换器、负载开关和电池管理电路。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。 - 在便携式设备中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,该器件可用于优化电池寿命。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,特别是在需要高效率和快速开关的应用中。 - 其双MOSFET结构允许实现H桥或半桥配置,从而控制电机的正转、反转和速度调节。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路分离器中,STS1DNC45可以用作信号切换元件,实现不同信号路径的切换。 - 适用于音频设备、数据通信和其他需要信号隔离或切换的场景。 4. 负载保护 - 提供过流保护、短路保护和热关断功能,确保系统在异常情况下免受损坏。 - 可用于汽车电子、工业控制和消费电子产品中的负载保护电路。 5. LED驱动 - 在LED照明应用中,STS1DNC45可以用作电流调节器或开关元件,控制LED的亮度和工作状态。 - 特别适合于需要高能效和精确电流控制的场景。 6. 消费电子 - 广泛应用于家用电器、游戏机、数码相机等消费电子产品中,提供高效的功率管理和信号处理能力。 - 由于其小型封装(如SO-8),非常适合空间受限的设计。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中,用于继电器替代、传感器接口和执行器驱动。 - 其高可靠性和耐用性使其成为工业环境的理想选择。 总结来说,STS1DNC45凭借其高性能、低功耗和紧凑封装的特点,适用于多种需要高效开关和功率管理的应用场景,尤其是在消费电子、工业控制和汽车电子领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOICMOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS1DNC45SuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STS1DNC45 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 450 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 450 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 欧姆 @ 500mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-12678-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67448?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 85 mg |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 450V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 400mA |
| 系列 | STS1DNC45 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |