Datasheet下载- 型号： DMN5L06VA-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN5L06VA-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN5L06VA-7价格参考。Diodes Inc.DMN5L06VA-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN5L06VA-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN5L06VA-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN5L06VA-7是一款MOSFET阵列器件，常用于需要高效、低电压操作的电源管理和开关应用。该器件由多个MOSFET组成，通常为双N沟道或P沟道结构，适用于小型化和集成化设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器等电源模块中，实现高效的电能转换。 2. 负载开关：作为电子开关控制负载的通断，如在电池供电设备中管理不同模块的电源供应。 3. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为功率开关，控制电机的启停与方向。 4. LED照明：用于LED驱动电路中，调节亮度或实现快速开关控制。 5. 工业自动化：应用于PLC、传感器等设备中，实现信号控制与功率切换。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、便携式充电设备中，用于电源路径管理或信号切换。 该MOSFET阵列器件具有低导通电阻、封装小巧、响应速度快等特点，适合高效率和高集成度的电路设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 50V 280MA SOT-563 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMN5L06VA-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 280mA |
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