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产品简介:
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ALD114835PCL是Advanced Linear Devices Inc.生产的一款MOSFET阵列器件,属于低功耗、高精度的CMOS场效应晶体管阵列产品。该型号为双P沟道增强型MOSFET阵列,采用14引脚PLCC封装,具有匹配良好的电特性,适用于对信号精度和稳定性要求较高的模拟与混合信号电路。 其典型应用场景包括:精密运算放大器输入级、低噪声模拟开关、采样保持电路、传感器信号调理电路以及低功耗便携式设备中的电源管理与控制电路。由于ALD114835PCL具备低阈值电压、低漏电流和良好的器件匹配性,特别适合用于微弱信号处理和高阻抗输入级设计,广泛应用于医疗电子、工业测量仪器、数据采集系统及高可靠性嵌入式系统中。 此外,该器件还可用于构建高性能的模拟多路复用器、电压跟随器或电流镜电路,在需要长期稳定性和温度一致性的场合表现优异。其CMOS工艺带来的低功耗特性也使其在电池供电设备中具有优势。总体而言,ALD114835PCL是一款适用于高精度、低功耗模拟应用的可靠MOSFET阵列解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | 4 N 沟道,配对 |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ALD114835PCL |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | EPAD® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.45V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.5pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 欧姆 @ 0V |
| 供应商器件封装 | 16-PDIP |
| 其它名称 | 1014-1059 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 16-DIP(0.300",7.62mm) |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12mA, 3mA |