Datasheet下载- 型号： SI4936CDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4936CDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4936CDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4936CDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4936CDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4936CDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4936CDY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：SI4936CDY-T1-GE3 可用于实现高效的负载开关功能，适用于 USB 端口、移动设备和其他需要动态开启/关闭电源的场景。 - DC-DC 转换器：该器件适合用作同步整流器中的低侧开关，以提高 DC-DC 转换器的效率，尤其是在降压转换器中。 2. 电池保护与管理 - 过流保护：由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效减少功耗，同时提供过流保护功能。 - 电池切换：在多电池系统中，可用于快速切换不同电池组，确保系统的稳定供电。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，可用于切换不同的输入或输出信号路径，同时保持低噪声性能。 - 数据线切换：适用于 USB 或其他高速数据接口的信号切换，支持热插拔功能。 4. 电机控制 - 小型电机驱动：可用于驱动小型直流电机，提供精确的开关控制，适用于消费电子、玩具或家用电器中的电机应用。 5. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑：作为负载开关或电源管理的一部分，帮助延长电池寿命并优化功耗。 - 可穿戴设备：由于其小封装尺寸（DFN2020-2L）和低功耗特性，非常适合空间受限的可穿戴设备。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频信号切换、USB 充电端口管理和电源分配。 - 传感器接口：为汽车传感器提供稳定的电源供应和信号切换。 特性优势： - 低导通电阻：典型值为 1.8mΩ（Vgs=4.5V），有助于降低功耗并提高效率。 - 高工作频率：支持高频开关应用，适用于现代电子设备的需求。 - 小尺寸封装：DFN2020-2L 封装节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 - 高可靠性：符合 AEC-Q101 标准（车规级版本），适用于严苛环境下的应用。 综上所述，SI4936CDY-T1-GE3 在电源管理、信号切换、电池保护、电机控制以及便携式和汽车电子领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOICMOSFET 30V 5.8A 2.3W 40mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4936CDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4936CDY-T1-GE3SI4936CDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1700 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4936CDY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | SI4936CDY-GE3 |
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