Datasheet下载- 型号： CSD87330Q3D
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87330Q3D由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87330Q3D价格参考￥4.34-￥8.19。Texas InstrumentsCSD87330Q3D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD87330Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD87330Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD87330Q3D 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款晶体管，属于 FET/MOSFET 阵列类别。它是一款高效率、低导通电阻的功率 MOSFET，广泛应用于需要高性能开关和功率管理的场景中。以下是 CSD87330Q3D 的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：CSD87330Q3D 常用于降压或升压 DC-DC 转换器中，作为主开关或同步整流器，提供高效的功率转换。 - 负载点 (POL) 转换器：在分布式电源系统中，该器件可用于 POL 转换器，为 FPGA、ASIC 和微处理器等核心组件供电。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：CSD87330Q3D 可用于 BLDC 电机驱动电路中的功率级，实现高效且可靠的电机控制。 - 步进电机驱动：在需要精确控制的步进电机应用中，该器件可以提供稳定的电流输出。 3. 电池管理系统 (BMS) - 在电池充电和放电管理中，CSD87330Q3D 可用于保护电路和充放电路径控制，确保电池的安全性和使用寿命。 4. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：该器件可用于 PLC 的输入/输出模块，实现快速开关和信号隔离。 - 传感器接口：在工业传感器中，CSD87330Q3D 可用于驱动负载或信号放大。 5. 消费电子 - 笔记本电脑适配器：在便携式设备的电源适配器中，该器件可用于功率转换和效率优化。 - LED 驱动器：在 LED 照明应用中，CSD87330Q3D 可用于恒流控制，确保 LED 的亮度稳定。 6. 通信设备 - 基站电源：在通信基站的电源模块中，该器件可用于高效功率转换，支持高密度和高可靠性需求。 - 光模块供电：为高速光模块提供稳定且高效的电源管理。 7. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：CSD87330Q3D 可用于汽车音响、导航等系统的电源管理。 - 电动助力转向 (EPS)：在 EPS 系统中，该器件可用于电机驱动和功率控制。 总结 CSD87330Q3D 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种需要高效功率转换和开关的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域，它都能提供出色的性能和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SONMOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87330Q3DNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD87330Q3D |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 6 W |
| Pd-功率耗散 | 6 W |
| Qg-GateCharge | 4.8 nC, 9.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.8 nC, 9.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.1 V, 1.15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 6.8 ns, 7.5 ns |
| 下降时间 | 1.7 ns, 1.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25886 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON-EP（3.3x3.3） |
| 其它名称 | 296-29660-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 9.4 ns, 9.1 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87330Q3D |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | LSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 76 S / 51 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A |
| 系列 | CSD87330Q3D |
| 配置 | Dual |
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