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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SH8M11TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8M11TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8M11TB1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SH8M11TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SH8M11TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的SH8M11TB1是一款MOSFET阵列产品,属于场效应晶体管(FET)类别。该器件常用于需要高效、高集成度开关控制的电子系统中。 SH8M11TB1的应用场景主要包括: 1. 电源管理系统:适用于电池供电设备中的电源切换与分配,如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备。 2. 负载开关控制:用于控制多个负载的独立开启与关闭,实现节能与系统保护功能。 3. 工业自动化设备:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块和工业通信设备中,作为高速开关元件使用。 4. 汽车电子系统:可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)等,实现对车灯、电机等负载的智能控制。 5. 消费类电子产品:如智能家电、智能穿戴设备中,用于电源管理和信号控制。 该器件集成多个MOSFET于单一封装中,具有节省PCB空间、简化设计、提高系统可靠性的优势,适用于对空间和效率要求较高的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH/P-CH 30V 3.5A 8SOP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SH8M11TB1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 85pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.9nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 98 毫欧 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOP |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A |