Datasheet下载- 型号： SI5513DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5513DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5513DC-T1-GE3价格参考。VishaySI5513DC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5513DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5513DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5513DC-T1-GE3 是一款包含两个P沟道MOSFET的FET阵列，适用于需要高效电源管理和负载开关控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的电源切换与负载管理，如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备，以提高能效并延长电池寿命。 2. DC-DC转换器：在同步整流电路中作为开关元件，提高转换效率，适用于通信设备和工业电源系统。 3. 负载开关：控制高电流负载的开启与关闭，如LED照明、电机驱动和传感器模块，实现快速响应和低导通电阻。 4. 热插拔电路：在服务器和网络设备中，用于防止插拔时的电流冲击，保护系统稳定运行。 5. 汽车电子：用于车载电源系统和控制模块，满足汽车环境中对可靠性和效率的要求。 该器件因集成度高、封装紧凑、导通电阻低（通常仅为几毫欧），有助于减少电路板空间并提升整体系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5513DC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A，2.1A |
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