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Datasheet下载- 型号： US6M11TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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US6M11TR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供US6M11TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 US6M11TR价格参考。ROHM SemiconductorUS6M11TR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V，12V 1.5A，1.3A 1W 表面贴装 UMT6。您可以下载US6M11TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有US6M11TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
US6M11TR是Rohm Semiconductor生产的一款MOSFET阵列产品，主要应用于需要高效、低功耗开关控制的电子设备中。该器件内部集成了多个MOSFET晶体管，通常采用小尺寸封装，适合用于电源管理、负载开关、马达驱动、LED背光控制以及电池供电设备等场景。 具体应用包括：便携式电子产品（如智能手机和平板电脑）中的电源切换与节能控制；工业自动化设备中的小型电机或继电器驱动电路；通信设备中的信号开关和功率调节模块；以及消费类电子产品中的DC-DC转换器或负载开关控制。 由于其具备较低的导通电阻、较快的开关速度及良好的热稳定性，US6M11TR在提高系统效率和可靠性方面具有优势，同时有助于减小PCB空间占用，提升设计灵活性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | US6M11TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | US6M11CT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V，12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A，1.3A |
