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SI5936DU-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5936DU-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5936DU-T1-GE3价格参考。VishaySI5936DU-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6A 10.4W 表面贴装 PowerPAK® ChipFet 双。您可以下载SI5936DU-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI5936DU-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5936DU-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于需要高效功率切换和信号控制的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中的负载开关,实现快速开启/关闭功能,降低待机功耗。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为同步整流 MOSFET,提高效率并减少热量产生。 - 电池保护电路:在电池管理系统中,用于防止过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 多路复用器/解复用器:在通信和数据传输系统中,用于选择不同的信号路径。 - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换不同的输入源,同时保持低噪声和高保真度。 3. 电机控制 - 小型直流电机驱动:用于控制玩具、家用电器(如风扇、水泵)中的小型电机,提供精确的速度和方向控制。 - H 桥电路:在双极性电机驱动中,用作 H 桥的核心开关元件。 4. 消费电子 - USB 电源管理:在 USB 充电端口或 Type-C 接口中,用于限流保护和动态电源分配。 - LED 驱动:用于调节 LED 灯的亮度或颜色变化,特别是在背光显示和照明应用中。 5. 工业自动化 - 传感器接口:在工业控制系统中,用于信号隔离和放大。 - 继电器替代:由于其快速开关特性和高可靠性,可替代传统机械继电器。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和显示屏的电源管理。 - 车身控制模块 (BCM):用于控制车窗升降、座椅加热等功能。 SI5936DU-T1-GE3 的低导通电阻(Rds(on))、小封装尺寸(TSSOP)和出色的热性能使其非常适合空间受限且对效率要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFETMOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5936DU-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5936DU-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 320pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® ChipFet 双 |
| 其它名称 | SI5936DU-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 10.4W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® CHIPFET™ 双 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A |
| 通道模式 | Enhancement |