Datasheet下载- 型号： SI7964DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7964DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7964DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7964DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7964DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7964DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7964DP-T1-GE3 是一款包含两个N沟道增强型MOSFET的阵列器件，常用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块，提供高效能和小体积解决方案。 2. 负载开关：用于控制电池供电设备中的负载切换，如笔记本电脑、平板及便携式电子产品。 3. 马达驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，实现正反转或调速功能。 4. LED照明：用于LED驱动电路中的电流调节与开关控制，提高能效。 5. 工业自动化：作为工业控制系统中的功率开关，用于继电器替代或传感器驱动。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、门锁控制）等低电压应用场景。 该器件采用小型DFN封装，具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合高密度PCB布局和中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7964DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 9.6A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.1A |
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