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  • 型号: SI1965DH-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI1965DH-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1965DH-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1965DH-T1-GE3价格参考¥1.24-¥1.24。VishaySI1965DH-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 12V 1.3A 1.25W 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1965DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1965DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1965DH-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于各种电源管理、信号切换和控制电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:SI1965DH-T1-GE3 可用作开关器件,在降压(Buck)或升压(Boost)转换器中实现高效的电压调节。
   - 负载开关:用于动态控制电源的通断,适用于便携式设备、消费电子和工业应用中的节能设计。
   - 电池保护:在电池管理系统中,该器件可用于防止过流、短路或反向电流等问题。

 2. 信号切换
   - 多路复用器/解复用器:利用两个独立的 MOSFET 通道实现信号选择和切换功能。
   - 继电器替代:在需要低功耗和高可靠性的应用中,可以取代机械继电器进行信号或负载切换。

 3. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:通过 PWM(脉宽调制)技术调节电机速度或方向。
   - H 桥电路:与其他 MOSFET 配合使用,构建双向电机驱动电路。

 4. 保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻(Rds(on))特性,监测电流并限制异常情况下的过载。
   - 热插拔保护:在服务器、通信设备等场景中,防止因意外插拔导致的瞬态电流冲击。

 5. 消费电子
   - USB 端口保护与切换:在 USB 集线器或充电器中,提供精确的电流控制和保护功能。
   - 音频设备:用于功率放大器中的开关或保护电路,确保音质的同时保护硬件。

 6. 工业自动化
   - 传感器接口:为传感器供电或切换信号路径。
   - 数据采集系统:用于多通道信号采集中,实现高效切换和隔离。

 7. 汽车电子
   - 车身控制模块 (BCM):用于灯光、门窗、座椅加热等功能的电源管理和信号切换。
   - 车载信息娱乐系统:提供稳定的电源输出和信号控制。

SI1965DH-T1-GE3 凭借其低导通电阻(典型值为 10.5mΩ)、小封装尺寸(SOT-23-6L)以及出色的电气性能,非常适合对空间和效率要求较高的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI1965DH-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

120pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.2nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

390 毫欧 @ 1A,4.5V

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1965DH-T1-GE3CT

功率-最大值

1.25W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.3A

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