ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > SI1965DH-T1-GE3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI1965DH-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1965DH-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1965DH-T1-GE3价格参考¥1.24-¥1.24。VishaySI1965DH-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 12V 1.3A 1.25W 表面贴装 SC-70-6(SOT-363)。您可以下载SI1965DH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1965DH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1965DH-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于各种电源管理、信号切换和控制电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:SI1965DH-T1-GE3 可用作开关器件,在降压(Buck)或升压(Boost)转换器中实现高效的电压调节。 - 负载开关:用于动态控制电源的通断,适用于便携式设备、消费电子和工业应用中的节能设计。 - 电池保护:在电池管理系统中,该器件可用于防止过流、短路或反向电流等问题。 2. 信号切换 - 多路复用器/解复用器:利用两个独立的 MOSFET 通道实现信号选择和切换功能。 - 继电器替代:在需要低功耗和高可靠性的应用中,可以取代机械继电器进行信号或负载切换。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制:通过 PWM(脉宽调制)技术调节电机速度或方向。 - H 桥电路:与其他 MOSFET 配合使用,构建双向电机驱动电路。 4. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻(Rds(on))特性,监测电流并限制异常情况下的过载。 - 热插拔保护:在服务器、通信设备等场景中,防止因意外插拔导致的瞬态电流冲击。 5. 消费电子 - USB 端口保护与切换:在 USB 集线器或充电器中,提供精确的电流控制和保护功能。 - 音频设备:用于功率放大器中的开关或保护电路,确保音质的同时保护硬件。 6. 工业自动化 - 传感器接口:为传感器供电或切换信号路径。 - 数据采集系统:用于多通道信号采集中,实现高效切换和隔离。 7. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):用于灯光、门窗、座椅加热等功能的电源管理和信号切换。 - 车载信息娱乐系统:提供稳定的电源输出和信号控制。 SI1965DH-T1-GE3 凭借其低导通电阻(典型值为 10.5mΩ)、小封装尺寸(SOT-23-6L)以及出色的电气性能,非常适合对空间和效率要求较高的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI1965DH-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 120pF @ 6V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.2nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 390 毫欧 @ 1A,4.5V |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
其它名称 | SI1965DH-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.3A |