Datasheet下载- 型号： FDMS3660AS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS3660AS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS3660AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS3660AS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMS3660AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS3660AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS3660AS 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列器件，主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件内部集成了多个MOSFET，通常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电源管理应用。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效DC-DC转换器，提升能源利用效率； 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机控制中作为功率开关，实现对电机速度和方向的控制； 3. 负载开关：用于控制高功率负载的开启与关闭，如LED照明、加热元件等； 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器系统中用于实现直流到交流的电能转换； 5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，保护电池免受过流和短路损害。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFNMOSFET COMPUTING MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS3660ASPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMS3660AS |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W, 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W, 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 21 nC, 64 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC, 64 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V, 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V, 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V, 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V, 2 V |
| 上升时间 | 3 ns, 5 ns |
| 下降时间 | 3 ns, 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2230pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Power56 |
| 其它名称 | FDMS3660ASCT |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns, 38 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 171 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | Power-56-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 173 S, 240 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 13 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A，30A |
| 系列 | FDMS3660 |
| 配置 | Dual Common Gate |
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