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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD400UN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD400UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMGD400UN,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMGD400UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMGD400UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMGD400UN,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列。该型号属于 P 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: PMGD400UN,115 适合用于直流-直流转换器(DC-DC 转换器)中的开关元件,例如降压或升压转换器。它能够高效地控制电流流动,从而实现稳定的电压输出。 2. 负载开关: 在需要动态控制负载的系统中,这款 MOSFET 可用作负载开关,快速开启或关闭负载电路,同时减少功率损耗。 3. 电机驱动: 该器件适用于小型电机驱动应用,例如消费电子设备中的风扇、泵或其他低功率电机控制。 4. 电池保护与管理: 在电池供电设备中,PMGD400UN,115 可用于防止过流、短路等问题,确保电池的安全运行。 5. 便携式电子设备: 由于其小尺寸和低功耗特性,该 MOSFET 广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块。 6. 汽车电子: 在汽车领域,它可以用于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统以及辅助驾驶系统的电源管理部分。 7. 信号切换: 在需要高速信号切换的应用中,这款 MOSFET 能够提供可靠的性能,例如音频信号切换或数据通信线路切换。 总之,PMGD400UN,115 凭借其出色的电气特性和紧凑封装形式,成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。在实际使用时,需根据具体电路需求进行合理选型和设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
数据手册 | |
产品图片 | |
PCN设计/规格 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 43pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.89nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 480 毫欧 @ 200mA,4.5V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 568-2368-6 |
功率-最大值 | 410mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 710mA |