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  • 型号: PMGD400UN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD400UN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD400UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMGD400UN,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMGD400UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMGD400UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMGD400UN,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列。该型号属于 P 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:  
   PMGD400UN,115 适合用于直流-直流转换器(DC-DC 转换器)中的开关元件,例如降压或升压转换器。它能够高效地控制电流流动,从而实现稳定的电压输出。

2. 负载开关:  
   在需要动态控制负载的系统中,这款 MOSFET 可用作负载开关,快速开启或关闭负载电路,同时减少功率损耗。

3. 电机驱动:  
   该器件适用于小型电机驱动应用,例如消费电子设备中的风扇、泵或其他低功率电机控制。

4. 电池保护与管理:  
   在电池供电设备中,PMGD400UN,115 可用于防止过流、短路等问题,确保电池的安全运行。

5. 便携式电子设备:  
   由于其小尺寸和低功耗特性,该 MOSFET 广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块。

6. 汽车电子:  
   在汽车领域,它可以用于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统以及辅助驾驶系统的电源管理部分。

7. 信号切换:  
   在需要高速信号切换的应用中,这款 MOSFET 能够提供可靠的性能,例如音频信号切换或数据通信线路切换。

总之,PMGD400UN,115 凭借其出色的电气特性和紧凑封装形式,成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。在实际使用时,需根据具体电路需求进行合理选型和设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

数据手册

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产品图片

PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

43pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.89nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

480 毫欧 @ 200mA,4.5V

产品目录页面

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供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-2368-6

功率-最大值

410mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

710mA

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