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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF9952QTRPBF是一款MOSFET阵列器件,主要用于高功率、高频开关应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和优异的热性能,适用于汽车电子、工业控制及电源管理等领域。 具体应用场景包括: 1. 电机驱动:常用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中,提供高效、可靠的双向电流控制,适合电动汽车、自动化设备中的电机控制系统。 2. 电源转换系统:如DC-DC转换器、同步整流器等,利用其低导通损耗提高转换效率,广泛应用于通信电源、服务器电源及新能源系统中。 3. 汽车电子:由于其符合AEC-Q100标准,适用于车载环境,如电动助力转向系统(EPS)、电池管理系统(BMS)以及车载充电器(OBC)等。 4. 工业自动化与电机控制:在变频器、伺服驱动器中作为功率开关元件,实现对电机转速与位置的精确控制。 5. 负载开关与继电器替代:在需要频繁开关高电流负载的场合,如照明控制、加热元件控制中,可替代传统机械继电器,提升系统寿命与可靠性。 总之,IRF9952QTRPBF凭借其高性能和高可靠性,适用于多种需要高效功率管理的电子系统设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF9952QTRPBF |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 2.2A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF9952QTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A,2.3A |