图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRF7907PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF7907PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7907PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7907PBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRF7907PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 9.1A,11A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7907PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7907PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOICMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

9.1 A

Id-连续漏极电流

9.1 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7907PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF7907PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.0 W

Pd-功率耗散

2.0 W

Qg-GateCharge

6.7 nC

Qg-栅极电荷

6.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

9.3 ns, 14 ns

下降时间

3.4 ns, 5.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

850pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16.4 毫欧 @ 9.1A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

8 ns, 13 ns

功率-最大值

2W

功率耗散

2.0 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20.5 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

6.7 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

9.1 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.1A,11A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

20 V

推荐商品

型号:CMRDM3575 TR

品牌:Central Semiconductor Corp

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF9358TRPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMN4031SSD-13

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:HCT802

品牌:TT Electronics/Optek Technology

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSO615N

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSD235N L6327

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI1563DH-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI4916DY-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRF7907PBF 相关产品

ALD1105SBL

品牌:Advanced Linear Devices Inc.

价格:

SSM6N7002BFU,LF

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

SH8K22TB1

品牌:Rohm Semiconductor

价格:

IRFHS9351TR2PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRF7328TR

品牌:Infineon Technologies

价格:

ZXMD63P02XTC

品牌:Diodes Incorporated

价格:

SIA912DJ-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRF9956PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9) IRF7907PbF HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET Applications V R max I (cid:1) Dual SO-8 MOSFET for POL DSS DS(on) D Converters in Notebook Computers, Servers, (cid:0) 30V Q1 16.4m @V = 10V 9.1A Graphics Cards, Game Consoles GS (cid:0) and Set-Top Box Q2 11.8m @V = 10V 11A GS Benefits (cid:1) Very Low R at 4.5V V DS(on) GS (cid:1)(cid:6) (cid:5) (cid:9) (cid:2)(cid:6) (cid:1) Low Gate Charge (cid:1) Fully Characterized Avalanche Voltage (cid:0)(cid:6) (cid:6) (cid:10) (cid:2)(cid:6) and Current (cid:1)(cid:5) (cid:4) (cid:8) (cid:2)(cid:5) (cid:1) 20V V Max. Gate Rating GS (cid:1) Improved Body Diode Reverse Recovery (cid:0)(cid:5) (cid:3) (cid:7) (cid:2)(cid:5) SO-8 (cid:1) 100% Tested for R G (cid:1) Lead-Free Absolute Maximum Ratings Parameter Q1 Max. Q2 Max. Units V Drain-to-Source Voltage 30 V DS V Gate-to-Source Voltage ± 20 GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 9.1 11 D A GS I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ 10V 7.3 8.8 A D A GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 76 85 DM P @T = 25°C Power Dissipation 2.0 2.0 W D A P @T = 70°C Power Dissipation 1.3 1.3 D A Linear Derating Factor 0.016 0.016 W/°C T Operating Junction and -55 to + 150 °C J T Storage Temperature Range STG Thermal Resistance Parameter Q1 Max. Q2 Max. Units R Junction-to-Drain Lead (cid:1) 42 42 °C/W θJL R Junction-to-Ambient (cid:2)(cid:1) 62.5 62.5 θJA www.irf.com 1 07/09/08

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BVDSS Drain-to-Source Breakdown Voltage Q1&Q2 30 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆ΒVDSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient Q1 ––– 0.024 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA Q2 ––– 0.024 ––– Q1 ––– 13.7 16.4 VGS = 10V, ID = 9.1A (cid:3) RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 17.1 20.5 mΩ VGS = 4.5V, ID = 7.3A (cid:3) Q2 ––– 9.8 11.8 VGS = 10V, ID = 11A (cid:3) ––– 11.5 13.7 VGS = 4.5V, ID = 8.8A (cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage Q1&Q2 1.35 1.8 2.35 V Q1: VDS = VGS, ID = 25µA ∆VGS(th)/∆TJ Gate Threshold Voltage Coefficient Q1 ––– -4.6 ––– mV/°C Q2: VDS = VGS, ID = 50µA Q2 ––– -4.9 ––– IDSS Drain-to-Source Leakage Current Q1&Q2 ––– ––– 1.0 µA VDS = 24V, VGS = 0V Q1&Q2 ––– ––– 150 VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C IGSS Gate-to-Source Forward Leakage Q1&Q2 ––– ––– 100 nA VGS = 20V Gate-to-Source Reverse Leakage Q1&Q2 ––– ––– -100 VGS = -20V gfs Forward Transconductance Q1 19 ––– ––– S VDS = 15V, ID = 7.0A Q2 24 ––– ––– VDS = 15V, ID = 8.8A Q Total Gate Charge Q1 ––– 6.7 10 g Q2 ––– 14 21 Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge Q1 ––– 1.3 ––– Q1 gs1 Q2 ––– 3.0 ––– V = 15V DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge Q1 ––– 0.7 ––– nC V = 4.5V, I = 7.0A gs2 GS D Q2 ––– 1.3 ––– Q Gate-to-Drain Charge Q1 ––– 2.5 ––– Q2 gd Q2 ––– 4.9 ––– V = 15V DS Q Gate Charge Overdrive Q1 ––– 2.2 ––– V = 4.5V, I = 8.8A godr GS D Q2 ––– 4.8 ––– Q Switch Charge (Q + Q ) Q1 ––– 3.2 ––– sw gs2 gd Q2 ––– 6.2 ––– Qoss Output Charge Q1 ––– 4.5 ––– nC VDS = 16V, VGS = 0V Q2 ––– 9.0 ––– R Gate Resistance Q1 ––– 2.6 4.7 Ω G Q2 ––– 3.0 5.0 t Turn-On Delay Time Q1 ––– 6.0 ––– Q1 d(on) Q2 ––– 8.0 ––– VDD = 15V, VGS = 4.5V t Rise Time Q1 ––– 9.3 ––– I = 7.0A r D Q2 ––– 14 ––– ns t Turn-Off Delay Time Q1 ––– 8.0 ––– Q2 d(off) Q2 ––– 13 ––– VDD = 15V, VGS = 4.5V t Fall Time Q1 ––– 3.4 ––– I = 8.8A f D Q2 ––– 5.3 ––– Clamped Inductive Load C Input Capacitance Q1 ––– 850 ––– iss Q2 ––– 1790 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance Q1 ––– 190 ––– pF VDS = 15V Q2 ––– 390 ––– ƒ = 1.0MHz C Reverse Transfer Capacitance Q1 ––– 88 ––– rss Q2 ––– 190 ––– Avalanche Characteristics Parameter Typ. Q1 Max. Q2 Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy (cid:0) ––– 10 15 mJ AS I Avalanche Current (cid:1) ––– 7.0 8.8 A AR Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current Q1 ––– ––– 2.8 A MOSFET symbol S (Body Diode) Q2 ––– ––– 2.8 showing the I Pulsed Source Current Q1 ––– ––– 76 A integral reverse SM (Body Diode)(cid:2)(cid:1) Q2 ––– ––– 85 p-n junction diode. VSD Diode Forward Voltage Q1 ––– ––– 1.0 V TJ = 25°C, IS = 7.3A, VGS = 0V (cid:3) Q2 ––– ––– 1.0 TJ = 25°C, IS = 8.8A, VGS = 0V (cid:3) trr Reverse Recovery Time Q1 ––– 12 18 ns Q1 TJ = 25°C, IF = 7.0A, Q2 ––– 16 24 VDD = 15V, di/dt = 100A/µs (cid:3) Qrr Reverse Recovery Charge Q1 ––– 4.1 6.1 nC Q2 TJ = 25°C, IF = 8.8A, Q2 ––– 5.9 8.9 VDD = 15V, di/dt = 100A/µs (cid:3) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) Typical Characteristics Q1 - Control FET Q2 - Synchronous FET 100 100 VGS VGS TOP 10V TOP 10V A) 54..05VV A) 54..05VV en(t 10 33..50VV en(t 10 33..50VV Curr 22..75VV Curr 22..75VV e BOTTOM 2.3V e BOTTOM 2.3V c c ur 1 ur 1 o o S S o- o- n-t n-t ai ai Dr 0.1 Dr 0.1 ,D 2.3V ,D 2.3V I I ≤ 60µs PULSE WIDTH ≤ 60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 25°C 0.01 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 100 VGS VGS TOP 10V TOP 10V Aen()t 5433....0550VVVV Aen()t 5433....0550VVVV Ceurr BOTTOM 222...753VVV Ceurr BOTTOM 222...753VVV c c our 10 our 10 S S o- o- n-t n-t ai ai Dr Dr ,D ,D I ≤ 60µs PULSE WIDTH I 2.3V ≤ 60µs PULSE WIDTH 2.3V Tj = 150°C Tj = 150°C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 3. Typical Output Characteristics Fig 4. Typical Output Characteristics 100.0 100.0 )Α )Α nt ( nt ( e e urr 10.0 urr 10.0 Ce TJ = 150°C Ce TJ = 150°C c c ur ur o o S S o- o- an-ti 1.0 TJ = 25°C an-ti 1.0 TJ = 25°C Dr Dr ,D ,D I VDS = 15V I VDS = 15V ≤ 60µs PULSE WIDTH ≤ 60µs PULSE WIDTH 0.1 0.1 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Fig 5. Typical Transfer Characteristics Fig 6. Typical Transfer Characteristics www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) Typical Characteristics Q1 - Control FET Q2 - Synchronous FET 10000 10000 VGS = 0V, f = 1 MHZ VGS = 0V, f = 1 MHZ Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED Crss = Cgd Crss = Cgd Coss = Cds + Cgd Coss = Cds + Cgd Fep() 1000 Ciss Fep() Ciss c c n n a a cti Coss cti 1000 a a p p a a CC , 100 Crss CC, Coss Crss 10 100 1 10 100 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig 8. Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage 12 12 I = 7.0A D I = 8.8A Ve() 10 VVDDSS== 1254VV Ve() 10 D VVDDSS== 1254VV ag VDS= 6.0V ag VDS= 6.0V Votl 8 Votl 8 e e c c our 6 our 6 S S o- o- ea-tt 4 ae-tt 4 G G ,S , S G 2 G 2 V V 0 0 0 4 8 12 16 0 5 10 15 20 25 30 QG Total Gate Charge (nC) QG Total Gate Charge (nC) Fig 9. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage Fig 10. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) LIMITED BY RDS(on) An()t 100 An()t 100 e e 100µsec Ceurr 10 1msec 100µsec Ceurr 10 1msec c c ur ur o o S S o- 1 o- 1 n-t 10msec n-t 10msec ai ai Dr Dr , D 0.1 TA = 25°C 100msec , D 0.1 TA = 25°C 100msec I I Tj = 150°C Tj = 150°C Single Pulse Single Pulse 0.01 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 11. Maximum Safe Operating Area Fig 12. Maximum Safe Operating Area 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) Typical Characteristics Q1 - Control FET Q2 - Synchronous FET 1.5 ec 1.5 ID = 9.1A nec ID = 11A n a V = 10V assti VGS = 10V essti GS e R Rn On ODSnoaouecr--r, t iRDSon() mNoaedz(r) li 1.0 DSanoouecr--r t ,iRDSon() mNoedaz)(r li 01..50 0.5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 TJ, Junction Temperature (°C) TJ, Junction Temperature (°C) Fig 13. Normalized On-Resistance vs. Temperature Fig 14. Normalized On-Resistance vs. Temperature 100.0 100.0 Auenrrt () 10.0 TJ = 150°C CAuenrrt () 10.0 TJ = 150°C DCean r i Dsean r i evesr 1.0 Rever 1.0 R, D TJ = 25°C , DS TJ = 25°C S I I V = 0V V = 0V GS GS 0.1 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VSD, Source-to-Drain Voltage (V) Fig 15. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 16. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage )Ω 40 )Ω 40 m m e( ID = 8.8A e( ID = 11A c c n n a a st st si si 30 e e R R n 30 n O O e e c c ur ur 20 o o So- TJ = 125°C So- TJ = 125°C n-t 20 n-t Dnar), i TJ = 25°C Dnar), i 10 TJ = 25°C o o (S (S D 10 D 0 R R 2 4 6 8 10 2 4 6 8 10 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) VGS, Gate-to-Source Voltage (V) Fig 17. Typical On-Resistance vs.Gate Voltage Fig 18. Typical On-Resistance vs.Gate Voltage www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) Typical Characteristics Q1 - Control FET Q2 - Synchronous FET 10 12 10 8 A) A) n(t n(t 8 e 6 e urr urr C C 6 n n ai ai Dr 4 Dr , D ,D 4 I I 2 2 0 0 25 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 TJ, Ambient Temperature (°C) TJ, Ambient Temperature (°C) Fig 19. Maximum Drain Current vs. Ambient Temp. Fig 20. Maximum Drain Current vs. Ambient Temp. 2.2 2.2 GVVgeoaehehodas()r t t tll 1112....4680 ID = 250µA GVVgeoaehehodas()r t t tll 1112....4680 ID = 250µA , GSh(t 1.2 , GSh(t 1.2 V V 1.0 1.0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TJ, Temperature ( °C ) TJ, Temperature ( °C ) Fig 21. Threshold Voltage vs. Temperature Fig 22. Threshold Voltage vs. Temperature 50 60 mJ) I D mJ) I D egyr( 40 T O P 33..50AA egyr( 50 T O P 43..48AA En BOTTOM 7.0A En BOTTOM 8.8A e e 40 h h nc 30 nc a a al al v v 30 A A e e s 20 s ul ul P P 20 e e gl gl n n Si 10 Si 10 S , S , A A E E 0 0 25 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 Starting TJ, Junction Temperature (°C) Starting TJ, Junction Temperature (°C) Fig 23. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current Fig 24. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) 100 D = 0.50 )A 10 0.20 J h 0.10 Z t e( 0.05 s mRponaes l 1 00..0021 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τR4τ4R44τa R273..6i21 .(869°C878791/W809963) 00τ0..ι.00 7(012s044e19635c177) Ther 0.1 CiC= iτi/Ri/iRi 16.07333 26.8 SINGLE PULSE Notes: 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthja + Ta 0.01 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 25. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (Q1) 100 D = 0.50 )A 10 0.20 J h 0.10 Z t e( 0.05 Rponaess l 1 00..0021 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τR4τ4R44τa R113.14i8 ..(429°C897484/W115268) 00τ..0ι00 .(905s504e911865c48) m her 0.1 CiC= iτi/Ri/iRi 14.3858 38.2 T Notes: SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthja + Ta 0.01 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 26. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (Q2) L S2 1 8 D2 G2 2 7 D2 S1 3 6 D1 G1 4 5 D1 C o C in V GND V o in Fig 27. Layout Diagram www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:27) (cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:9)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13) VGS=10V • (cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) (cid:7)(cid:7) • (cid:19)(cid:3)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:14)(cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:9)(cid:12)(cid:15) - (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7) (cid:7)•(cid:7)(cid:7) (cid:7) (cid:1)(cid:8)(cid:11)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:24)(cid:22)(cid:3)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:12)(cid:15)(cid:13)(cid:7)(cid:25)(cid:18)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:14)(cid:26)(cid:5)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:2) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:4) dv/dt VDD (cid:2) (cid:17)(cid:19) • (cid:14)(cid:28)(cid:29)(cid:14)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:31)(cid:1) (cid:27)(cid:27) Re-Applied • (cid:27)(cid:3)(cid:2)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:10) (cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:27)!"!(cid:24)! + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:18)(cid:2)(cid:3)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)$(cid:27)$ - (cid:18)I(cid:12)n(cid:14)d(cid:5)u(cid:4)c(cid:6)t(cid:11)o(cid:3)r(cid:7) C(cid:1)u(cid:5)r(cid:3)e(cid:3)(cid:15)n(cid:12)t(cid:6) • (cid:27)!"!(cid:24)!(cid:7)%(cid:7)(cid:27)(cid:15)(cid:28)(cid:2)(cid:4)(cid:15)(cid:7)"(cid:12)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:15)(cid:13)(cid:6) Ripple ≤ 5% ISD (cid:27)(cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:2)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:16) (cid:19)(cid:17) Fig 28. (cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:3)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:14)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:20)(cid:3)(cid:15)(cid:18)(cid:21)(cid:15)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:22)(cid:3)(cid:25)(cid:13)(cid:19)(cid:17)(cid:26)(cid:13)(cid:22)(cid:3)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:3)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 2V0GVS tp 0.01Ω IAS Fig 29a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 29b. Unclamped Inductive Waveforms V 15V DS 90% VDS L DRIVER 10% RG D.U.T + V - VDD GS IAS A 20V tp 0.01Ω td(on) tr td(off) tf Fig 30a. Switching Time Test Circuit Fig 30b. Switching Time Waveforms CurrentRegulator Id SameTypeas D.U.T. Vds 50KΩ Vgs 12V .2µF .3µF - D.U.T. +VDS Vgs(th) VGS -3mA IG ID CurrentSampling Resistors Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 31a. Gate Charge Test Circuit Fig 31b. Gate Charge Waveform 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) SO-8 Package Outline (Mosfet & Fetky) Dimensions are shown in milimeters (inches) (cid:22)(cid:27)(cid:23)(cid:7)(cid:3)(cid:21) (cid:26)(cid:22)(cid:9)(cid:9)(cid:22)(cid:26)(cid:3)(cid:29)(cid:3)(cid:30)(cid:21) (cid:2)(cid:22)(cid:26) (cid:4) (cid:5) (cid:26)(cid:22)(cid:27) (cid:26)(cid:6)(cid:28) (cid:26)(cid:22)(cid:27) (cid:26)(cid:6)(cid:28) (cid:7) (cid:2) (cid:6) (cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:18)(cid:24) (cid:10)(cid:16)(cid:25)(cid:11)(cid:11) (cid:1)(cid:10)(cid:18)(cid:19) (cid:1)(cid:10)(cid:14)(cid:19) (cid:6)(cid:1) (cid:10)(cid:16)(cid:16)(cid:13)(cid:16) (cid:10)(cid:16)(cid:16)(cid:12)(cid:11) (cid:16)(cid:10)(cid:1)(cid:16) (cid:16)(cid:10)(cid:24)(cid:19) (cid:5) (cid:10)(cid:16)(cid:1)(cid:18) (cid:10)(cid:16)(cid:24)(cid:16) (cid:16)(cid:10)(cid:18)(cid:18) (cid:16)(cid:10)(cid:19)(cid:1) (cid:0) (cid:1) (cid:3) (cid:2) (cid:31) (cid:10)(cid:16)(cid:16)(cid:14)(cid:19) (cid:10)(cid:16)(cid:16)(cid:12)(cid:11) (cid:16)(cid:10)(cid:1)(cid:12) (cid:16)(cid:10)(cid:24)(cid:19) (cid:3) (cid:10) (cid:2) (cid:10)(cid:1)(cid:11)(cid:12) (cid:10)(cid:1)(cid:12)(cid:25)(cid:11) (cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:16) (cid:19)(cid:10)(cid:16)(cid:16) (cid:6) (cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:12)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:14) (cid:7) (cid:3) (cid:10)(cid:1)(cid:13)(cid:12)(cid:14) (cid:10)(cid:1)(cid:19)(cid:14)(cid:13) (cid:18)(cid:10)(cid:11)(cid:16) (cid:13)(cid:10)(cid:16)(cid:16) (cid:16) (cid:13) (cid:27) (cid:20) (cid:0) (cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:22)(cid:23) (cid:1)(cid:10)(cid:24)(cid:14)(cid:15)(cid:15)(cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:22)(cid:23) (cid:0)(cid:1) (cid:10)(cid:16)(cid:24)(cid:19)(cid:15)(cid:15)(cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:22)(cid:23) (cid:16)(cid:10)(cid:25)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:15)(cid:20)(cid:6)(cid:21)(cid:22)(cid:23) (cid:7) (cid:10)(cid:24)(cid:24)(cid:11)(cid:13) (cid:10)(cid:24)(cid:13)(cid:13)(cid:16) (cid:19)(cid:10)(cid:11)(cid:16) (cid:25)(cid:10)(cid:24)(cid:16) (cid:8) (cid:10)(cid:16)(cid:16)(cid:12)(cid:12) (cid:10)(cid:16)(cid:1)(cid:12)(cid:25) (cid:16)(cid:10)(cid:24)(cid:19) (cid:16)(cid:10)(cid:19)(cid:16) (cid:3)(cid:9) (cid:8) (cid:9) (cid:10)(cid:16)(cid:1)(cid:25) (cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:16) (cid:16)(cid:10)(cid:13)(cid:16) (cid:1)(cid:10)(cid:24)(cid:14) (cid:4) (cid:15)(cid:16)(cid:17) (cid:15)(cid:11)(cid:17) (cid:15)(cid:16)(cid:17) (cid:15)(cid:11)(cid:17) (cid:8)(cid:16) (cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:14)(cid:20)(cid:2)(cid:21) (cid:7) (cid:25) (cid:24) (cid:11)(cid:12)(cid:16)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:12)(cid:11)(cid:11)(cid:20)(cid:17)(cid:14) (cid:0)(cid:9)(cid:14)(cid:26) (cid:7)(cid:16) (cid:0)(cid:9)(cid:14)(cid:22) (cid:0)(cid:9)(cid:14)(cid:23) (cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:12)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:14) (cid:25) (cid:7) (cid:5) (cid:1) (cid:0)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2) (cid:19)(cid:14)(cid:16)(cid:20)(cid:25)(cid:30) (cid:13)(cid:4)(cid:2)(cid:2)(cid:27)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:19)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:18)(cid:19)(cid:31)(cid:2) (cid:2)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:20)(cid:23)(cid:29)(cid:19)(cid:21)(cid:18)(cid:19)(cid:31)(cid:2)!(cid:20)(cid:23)(cid:2)(cid:29)(cid:25)(cid:24)(cid:20)(cid:2)"(cid:13)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:24)(cid:28)(cid:13)##(cid:10)(cid:4) (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:15) (cid:6)(cid:4)(cid:2)(cid:2)(cid:21)(cid:14)(cid:19)(cid:16)(cid:23)(cid:14)(cid:17)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:31)(cid:2)(cid:27)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:19)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:30)(cid:2)(cid:24)(cid:18)(cid:17)(cid:17)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:16)(cid:20)(cid:23) (cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:2)(cid:27)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:19)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:25)(cid:2)(cid:29)(cid:23)(cid:20)(cid:2)(cid:25)$(cid:14)%(cid:19)(cid:2)(cid:18)(cid:19)(cid:2)(cid:24)(cid:18)(cid:17)(cid:17)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:16)(cid:20)(cid:23)(cid:25)(cid:2)(cid:7)(cid:18)(cid:19)(cid:21)$(cid:20)(cid:25)(cid:8)(cid:4) (cid:10)(cid:4)(cid:2)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:14)(cid:19)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:2)(cid:16)(cid:14)(cid:2)(cid:26)(cid:20)(cid:27)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:24)(cid:25)(cid:28)(cid:3)(cid:13)(cid:6)(cid:29)(cid:29)(cid:4) (cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:27)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:19)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:2)(cid:27)(cid:14)(cid:20)(cid:25)(cid:2)(cid:19)(cid:14)(cid:16)(cid:2)(cid:18)(cid:19)(cid:21)(cid:17)(cid:15)(cid:27)(cid:20)(cid:2)(cid:24)(cid:14)(cid:17)(cid:27)(cid:2)!(cid:23)(cid:14)(cid:16)(cid:23)(cid:15)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:25)(cid:4) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:24)(cid:14)(cid:17)(cid:27)(cid:2)!(cid:23)(cid:14)(cid:16)(cid:23)(cid:15)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:25)(cid:2)(cid:19)(cid:14)(cid:16)(cid:2)(cid:16)(cid:14)(cid:2)(cid:20)(cid:1)(cid:21)(cid:20)(cid:20)(cid:27)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:13)(cid:11)(cid:2)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:3)(cid:9)(cid:8)(cid:4) (cid:9)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:27)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:19)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:2)(cid:27)(cid:14)(cid:20)(cid:25)(cid:2)(cid:19)(cid:14)(cid:16)(cid:2)(cid:18)(cid:19)(cid:21)(cid:17)(cid:15)(cid:27)(cid:20)(cid:2)(cid:24)(cid:14)(cid:17)(cid:27)(cid:2)!(cid:23)(cid:14)(cid:16)(cid:23)(cid:15)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:25)(cid:4) (cid:16)(cid:11)(cid:17)(cid:16)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:13)(cid:18)(cid:18)(cid:15) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:24)(cid:14)(cid:17)(cid:27)(cid:2)!(cid:23)(cid:14)(cid:16)(cid:23)(cid:15)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:25)(cid:2)(cid:19)(cid:14)(cid:16)(cid:2)(cid:16)(cid:14)(cid:2)(cid:20)(cid:1)(cid:21)(cid:20)(cid:20)(cid:27)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:2)(cid:7)(cid:4)(cid:3)(cid:13)(cid:3)(cid:8)(cid:4) (cid:5)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:27)(cid:18)(cid:24)(cid:20)(cid:19)(cid:25)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:2)(cid:18)(cid:25)(cid:2)(cid:16)$(cid:20)(cid:2)(cid:17)(cid:20)(cid:19)(cid:31)(cid:16)$(cid:2)(cid:14)(cid:22)(cid:2)(cid:17)(cid:20)(cid:29)(cid:27)(cid:2)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:2)(cid:25)(cid:14)(cid:17)(cid:27)(cid:20)(cid:23)(cid:18)(cid:19)(cid:31)(cid:2)(cid:16)(cid:14) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:29)(cid:2)(cid:25)(cid:15)&(cid:25)(cid:16)(cid:23)(cid:29)(cid:16)(cid:20)(cid:4) (cid:19)(cid:8)(cid:9)(cid:20)(cid:11)(cid:13)(cid:12)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:10)(cid:18)(cid:10)(cid:15) (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:20)(cid:11)(cid:12)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:10)(cid:15) SO-8 Part Marking Information (cid:10)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:0)(cid:11)(cid:10)(cid:17)(cid:1)(cid:9)(cid:18)(cid:4)(cid:5)(cid:1)(cid:4)(cid:5)(cid:1)(cid:8)(cid:7)(cid:1)(cid:4)(cid:14)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:1)(cid:22)(cid:16)(cid:23)(cid:5)(cid:13)(cid:10)(cid:9)(cid:24) (cid:3)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:1)(cid:25)(cid:23)(cid:3)(cid:10)(cid:1)(cid:22)(cid:28)(cid:29)(cid:29)(cid:24) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:5)(cid:1)(cid:11)(cid:10)(cid:8)(cid:3)(cid:1)(cid:12)(cid:1)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:10) (cid:0)(cid:14)(cid:23)(cid:3)(cid:26)(cid:25)(cid:9)(cid:1)(cid:22)(cid:23)(cid:0)(cid:9)(cid:4)(cid:23)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:24) (cid:28)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:11)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:4)(cid:9)(cid:1)(cid:23)(cid:13)(cid:1)(cid:9)(cid:18)(cid:10)(cid:1)(cid:28)(cid:10)(cid:8)(cid:14) (cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:29)(cid:29)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:29)(cid:10)(cid:10)(cid:30) (cid:4)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:4)(cid:23)(cid:7)(cid:8)(cid:11) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2) (cid:8)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:8)(cid:5)(cid:5)(cid:10)(cid:16)(cid:27)(cid:11)(cid:28)(cid:1)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:1)(cid:25)(cid:23)(cid:3)(cid:10) (cid:14)(cid:10)(cid:25)(cid:9)(cid:4)(cid:13)(cid:4)(cid:10)(cid:14) (cid:11)(cid:23)(cid:9)(cid:1)(cid:25)(cid:23)(cid:3)(cid:10) (cid:11)(cid:23)(cid:6)(cid:23) (cid:0)(cid:8)(cid:14)(cid:9)(cid:1)(cid:7)(cid:26)(cid:16)(cid:27)(cid:10)(cid:14) Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:7)(cid:8)(cid:3) SO-8 Tape and Reel Dimensions are shown in millimeters (inches) TERMINAL NUMBER 1 12.3 ( .484 ) 11.7 ( .461 ) 8.1 ( .318 ) 7.9 ( .312 ) FEED DIRECTION NOTES: 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 330.00 (12.992) MAX. 14.40 ( .566 ) 12.40 ( .488 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:4)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:2) When mounted on 1 inch square copper board. max. junction temperature. (cid:5)(cid:1)(cid:1)(cid:17)θ(cid:7)(cid:10)(cid:16)(cid:1)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:16)(cid:20)(cid:7)(cid:12)(cid:21)(cid:1)(cid:19)(cid:22)(cid:1)(cid:23)&(cid:1)(cid:19)(cid:24)(cid:24)(cid:7)(cid:6)(cid:25)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:22)(cid:12)(cid:14)(cid:26)(cid:1)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:31) (cid:3) (cid:1)Starting TJ = 25°C, Q1: L = 0.41mH, RG = 25Ω, IAS = 7.0A; Q2: L = 0.38mH, RG = 25Ω, IAS = 8.8A. (cid:1) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Consumer market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 07/2008 10 www.irf.com