Datasheet下载- 型号： SI5903DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5903DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5903DC-T1-GE3价格参考。VishaySI5903DC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5903DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5903DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5903DC-T1-GE3 是一款包含两个P沟道MOSFET的场效应晶体管（FET）阵列器件，常用于电源管理和负载开关等应用场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：该器件适用于电池供电设备中的电源切换和管理，例如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备，能够高效控制电源通断，减少功耗。 2. 负载开关：由于其双P沟道MOSFET结构，SI5903DC-T1-GE3可用于控制多个负载的开启与关闭，适用于需要多路电源控制的系统，如工业控制设备和通信设备。 3. 电机驱动与继电器替代：在小型电机驱动或继电器替代应用中，该器件可提供更快的开关速度和更低的导通电阻，提高系统效率和可靠性。 4. DC-DC转换器：适用于同步整流等DC-DC转换电路，提升转换效率，尤其在低电压、中等电流的应用场景中表现良好。 5. 热插拔保护：在服务器或通信设备的热插拔电路中，用于控制电流流动，防止启动时的浪涌电流损坏系统。 综上，SI5903DC-T1-GE3适用于需要高效、紧凑和多通道功率控制的电子系统中，尤其适合空间受限且对能效有要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5903DC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 2.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A |
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