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- 型号： IRF9910TR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9910TR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9910TR价格参考。International RectifierIRF9910TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9910TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9910TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies旗下的IRF9910TR是一款P沟道MOSFET阵列器件，属于高性能功率MOSFET产品系列。该型号主要应用于需要高效电源管理和开关控制的电子系统中。典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电系统的反向电流保护和电池极性保护；以及DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关控制。此外，IRF9910TR也广泛用于电机驱动电路、电源管理系统（PMU）、热插拔控制器及各类低电压、高效率的开关电源设计中。其低导通电阻（RDS(on)）和小封装特性使其在空间受限且注重能效的应用中表现出色。由于具备良好的热稳定性和快速开关能力，该器件还适用于需要频繁启停或动态响应的控制系统。整体而言，IRF9910TR凭借Infineon一贯的可靠品质，在消费电子、工业控制和通信设备等领域发挥着重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF9910TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.55V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.4 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A，12A |
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