ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > STS8C5H30L
Datasheet下载- 型号： STS8C5H30L
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STS8C5H30L产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STS8C5H30L由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS8C5H30L价格参考。STMicroelectronicsSTS8C5H30L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 8A，5.4A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载STS8C5H30L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STS8C5H30L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 STS8C5H30L 的器件由 STMicroelectronics 生产，属于晶体管中的 MOSFET 阵列类别。它是一款双 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于需要高效开关和功率管理的应用场景。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电源开关和负载管理，适用于笔记本电脑、服务器和工业电源系统。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为高效开关，广泛用于工业自动化和消费类电子产品。 3. 电池供电设备：由于其低导通电阻和小封装，适合用于手持设备、移动电源和电池管理系统。 4. 负载开关：用于控制电源分配，如热插拔电路和多路电源管理系统。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块和辅助电机控制等场景。 该器件采用小型化封装（如 PowerFLAT），具备高功率密度和良好热性能，适合空间受限但要求高效能的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOICMOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS8C5H30LSTripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STS8C5H30L |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 14.5 ns, 35 ns |
| 下降时间 | 8 ns, 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 857pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-4398-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF86310?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns, 125 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 85 mg |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8.5 S, 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A，5.4A |
| 系列 | STS8C5H30L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
