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  • 型号: STS8C5H30L
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STS8C5H30L产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STS8C5H30L由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS8C5H30L价格参考。STMicroelectronicsSTS8C5H30L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 8A,5.4A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载STS8C5H30L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STS8C5H30L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOICMOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS8C5H30LSTripFET™ III

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产品型号

STS8C5H30L

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

7 nC

Qg-栅极电荷

7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

22 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

14.5 ns, 35 ns

下降时间

8 ns, 35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

857pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 4A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

497-4398-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF86310?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

23 ns, 125 ns

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

单位重量

85 mg

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

8.5 S, 10 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A,5.4A

系列

STS8C5H30L

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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