ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7331PBF
/IRF7331PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRF7331PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF7331PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7331PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7331PBF价格参考。International RectifierIRF7331PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 7A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7331PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7331PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7331PBF 是一款P沟道MOSFET阵列，采用SO-8封装，内部集成两个独立的P沟道MOSFET。该器件主要适用于低电压、中等电流的电源开关和控制应用。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池供电切换与负载开关；用于DC-DC转换器中的同步整流或高端驱动电路，提升转换效率；在热插拔电路中实现上电时序控制和浪涌电流限制；也可用于各类消费类电子产品中的信号切换与逻辑控制。 IRF7331PBF具有低导通电阻（RDS(on)）、良好的热稳定性和高可靠性，适合在紧凑空间内实现高效能功率控制。其P沟道特性使其在高端开关应用中无需额外的驱动电路，简化设计。此外，该器件符合RoHS标准，适用于对环保要求较高的产品。 总体而言，IRF7331PBF广泛应用于需要小型化、高集成度和高效能的电源管理场景，尤其适合电池供电设备和便携式系统的功率控制需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7331PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7331PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 13 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.6 V to 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.6 V to 1.2 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1340pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 30 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 14 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
