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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF2P02HDR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF2P02HDR2价格参考。ON SemiconductorMMDF2P02HDR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDF2P02HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDF2P02HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MMDF2P02HDR2 的场效应晶体管(MOSFET)由 ON Semiconductor 生产,属于双P沟道MOSFET阵列。该器件常用于需要高效开关和空间节省设计的场景。 应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备,双MOSFET结构可简化电路设计并提升效率。 2. 电机控制:在小型电机或步进电机驱动电路中,作为H桥开关使用,实现方向与速度控制。 3. 工业自动化:用于PLC输出模块或继电器替代方案,提供快速响应与高可靠性。 4. 通信设备:在路由器、交换机等设备中作电源开关或信号路由,支持高密度布局。 5. 汽车电子:如车身控制模块(BCM)、灯光系统或车载充电系统,满足车规级可靠性需求。 该器件采用小型封装,适合高集成度设计,适用于中低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF2P02HDR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 588pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 2A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDF2P02HDR2OSCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A |