Datasheet下载- 型号： FDS9933BZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS9933BZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS9933BZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS9933BZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS9933BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS9933BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS9933BZ是安森美（ON Semiconductor）推出的一款MOSFET阵列产品，属于N沟道增强型功率MOSFET，采用双芯片封装设计，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件主要应用于需要高效能、小尺寸和低功耗的电源管理系统中。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源开关与负载管理；电池供电系统中的热插拔控制与电源分配；以及DC-DC转换电路中的同步整流部分。其低栅极电荷和快速开关特性有助于提升电源转换效率，减少能量损耗，适合高频工作环境。 此外，FDS9933BZ也广泛用于电机驱动、LED驱动电源及各类工业控制模块中，尤其适用于空间受限但对性能要求较高的场合。由于其集成两个MOSFET于单一封装，有助于缩小PCB面积，提高系统可靠性。 综上所述，FDS9933BZ凭借其高集成度、优异的电气性能和紧凑封装，广泛服务于消费电子、通信设备和工业电子等领域，特别适合追求高效节能与小型化设计的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS9933BZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 985pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 4.9A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS9933BZDKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A |
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