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详细数据请看参考数据手册
- 型号： TT8J2TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TT8J2TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TT8J2TR价格参考。ROHM SemiconductorTT8J2TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TT8J2TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TT8J2TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号为TT8J2TR的器件属于晶体管中的FET、MOSFET-阵列类别。该器件主要应用于以下场景： 1. 电源管理：TT8J2TR可用于DC-DC转换器、电压调节器等电源管理电路中，实现高效的能量转换与稳定输出。 2. 负载开关与电源开关：该MOSFET阵列器件适用于负载开关、电源切换等应用，具有快速开关能力和低导通电阻，有助于减少功率损耗。 3. 电机驱动：在小型电机控制电路中，如风扇、泵或机器人关节的驱动电路中，TT8J2TR可用于控制电机的启停与方向切换。 4. LED照明驱动：用于LED背光或照明系统的驱动电路，提供稳定的电流控制和高效的开关性能。 5. 电池供电设备：常见于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机等，用于提高能效并延长电池寿命。 6. 工业自动化与控制：在PLC、传感器模块或工业执行器中作为开关元件使用，具备良好的稳定性和抗干扰能力。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8MOSFET SW MOSFET MIDDLE PWR P CH -30V-2.5A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor TT8J2TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TT8J2TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Qg-GateCharge | 4.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 460pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 84 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSST |
| 其它名称 | TT8J2DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | TSST-8 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1003-KIT/846-1003-KIT-ND/2277304 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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