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Datasheet下载- 型号： FDC6333C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDC6333C产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6333C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6333C价格参考￥3.63-￥4.58。Fairchild SemiconductorFDC6333C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 2.5A，2A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC6333C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC6333C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6333C是ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款晶体管阵列，具体来说是一款双通道N沟道增强型MOSFET。该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：FDC6333C广泛应用于各种电源管理系统中，如开关电源、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使得它在高效能电源设计中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，FDC6333C可以作为功率级元件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。其双通道设计允许同时控制两个独立的电机或在一个复杂电路中实现更精细的电流分配。 3. 负载切换：在需要频繁进行负载切换的应用场合，例如USB端口保护、电池充电电路以及热插拔保护等，FDC6333C凭借其低损耗和高可靠性成为理想选择。它可以迅速响应负载变化，并提供过流保护功能。 4. 通信设备：在通信基础设施中，如基站、路由器和其他网络设备，FDC6333C可用于信号路径上的开关操作，确保数据传输的稳定性和安全性。此外，在射频前端模块中，它也可以用作功率放大器的偏置控制。 5. 消费电子：对于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品而言，FDC6333C的小封装尺寸（SOT-23-6L）非常适合紧凑的设计要求，同时还能满足高性能的需求，如快速充电、音频放大等。 总之，FDC6333C凭借其优异的电气性能和小巧的封装形式，适用于多种领域中的关键任务，特别是在那些对效率、可靠性和空间利用率有严格要求的应用场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6MOSFET 30V/-30V N/P |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A, - 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A, - 2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6333CPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC6333C |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
| Pd-功率耗散 | 960 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V, +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V, 25 V |
| 上升时间 | 6 ns, 13 ns |
| 下降时间 | 6 ns, 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 282pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC6333CCT |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns, 11 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S, 3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A，2A |
| 系列 | FDC6333C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDC6333C_NL |
