Datasheet下载- 型号： CSD75207W15
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD75207W15由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD75207W15价格参考。Texas InstrumentsCSD75207W15封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD75207W15参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD75207W15 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD75207W15 是 Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道MOSFET阵列，属于微型化、高效率的功率MOSFET产品，常用于空间受限但对能效要求较高的便携式电子设备中。 该器件主要应用场景包括： 1. 移动设备电源管理：广泛应用于智能手机、平板电脑和超极本中的DC-DC转换电路，如降压（Buck）转换器，用于为处理器、内存等核心部件提供高效、稳定的电压。 2. 同步整流：在开关电源（SMPS）中作为同步整流管使用，可显著提升电源转换效率，降低功耗与发热。 3. 负载开关与电源切换：适用于需要快速开启/关闭电源路径的场景，如外设供电控制、电池管理系统中的电源路由。 4. 电机驱动模块：在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，CSD75207W15 可作为低边或高边开关，实现紧凑型驱动设计。 5. 热插拔与过流保护电路：因其具备良好的导通电阻（Rds(on)）和封装散热性能，适合用于防止浪涌电流的保护电路。 CSD75207W15 采用1.8mm × 1.4mm的超小尺寸WCSP封装，集成两个独立的N-MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能的特点，特别适合高密度PCB布局。其设计优化了栅极电荷与输出电容，有助于减少开关损耗，提升整体系统能效。 综上，CSD75207W15 主要面向对体积、效率和可靠性要求严苛的消费类电子与便携式设备中的电源管理应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 9DSBGA |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CSD75207W15 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 595pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 162 毫欧 @ 1A， 1.8V |
| 供应商器件封装 | 9-DSBGA |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 9-UFBGA，DSBGA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A |
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