Datasheet下载- 型号： SI1029X-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1029X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1029X-T1-E3价格参考。VishaySI1029X-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1029X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1029X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1029X-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效开关和空间紧凑设计的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，支持高效能、低功耗设计。 2. 电机驱动：用于小型电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关响应和可靠性能。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、便携式仪器等，适合对功耗和尺寸要求较高的应用。 4. 通信设备：用于通信模块中的信号切换和电源控制，如基站、路由器和交换机。 5. 工业控制：如PLC、传感器模块和自动化设备中的开关控制。 6. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制和辅助电机驱动。 该器件采用小型SOT-23封装，导通电阻低，适合高频开关操作，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V 305MA SOT563F |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1029X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 30pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1029X-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 305mA，190mA |
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