Datasheet下载- 型号： SI7911DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7911DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7911DN-T1-E3价格参考。VishaySI7911DN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7911DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7911DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7911DN-T1-E3 是一款P沟道MOSFET阵列器件，采用双通道配置，封装小巧（如SO-8），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和良好的开关性能，适合电池供电系统中的电源管理与信号切换。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于负载开关、电源路径管理和电池保护电路，有效降低功耗并提升能效。 2. 电源管理：在DC-DC转换器和电压调节模块中作为同步整流或电平转换元件，提高电源转换效率。 3. 热插拔与电源开关控制：用于USB接口、SD卡槽等需要安全上电/断电控制的场合，防止浪涌电流损坏系统。 4. 电机驱动与继电器替代：在小型直流电机或电磁阀控制中作为固态开关，实现无触点、高可靠性的驱动方案。 5. 工业与消费类电路：适用于各类需要低电压逻辑控制的开关应用，如传感器模块、IoT设备中的信号通断控制。 SI7911DN-T1-E3 因其高集成度、小尺寸和高可靠性，特别适合对空间和功耗敏感的现代电子系统，在消费电子、工业控制和通信设备中均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7911DN-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 51 毫欧 @ 5.7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7911DN-T1-E3TR |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A |
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