Datasheet下载- 型号： NTJD2152PT4
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD2152PT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD2152PT4价格参考。ON SemiconductorNTJD2152PT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTJD2152PT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD2152PT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTJD2152PT4是一款P沟道MOSFET阵列，内含两个独立的P沟道MOSFET，采用小型化的SC-70封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于低电压、低功耗场景，典型应用包括电池供电设备中的电源开关与负载管理。 常见应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表、健康监测设备）等消费类电子产品中，用于控制不同功能模块的电源通断，实现节能和延长电池寿命。此外，它也广泛用于各类便携式医疗设备、物联网终端节点和无线传感器网络中，作为信号切换或电源路径控制元件。 由于其具备较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的开关特性，NTJD2152PT4在逻辑电平转换、LED驱动电路及小功率负载控制中表现优异。同时，其静电防护性能较好，适合在复杂电磁环境中稳定运行。 总之，NTJD2152PT4凭借小尺寸、低功耗和高可靠性，成为现代高集成度电子系统中理想的P沟道MOSFET阵列解决方案，尤其适用于需要高效电源管理的便携式和低功耗设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJD2152PT4 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 8V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 570mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 775mA |
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