Datasheet下载- 型号： ZXMP6A17DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A17DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A17DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMP6A17DN8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMP6A17DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP6A17DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMP6A17DN8TA是由Diodes Incorporated生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理： ZXMP6A17DN8TA常用于各种电源管理应用中，例如DC-DC转换器、负载开关和电源分配电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其能够高效地控制电流流动，减少功率损耗，适用于便携式设备和低功耗系统。 2. 电池保护与管理： 在电池供电的设备中，该MOSFET阵列可用于电池保护电路，防止过充、过放或短路等问题。它能够快速响应异常情况并切断电流路径，从而保护电池和相关电路。 3. 信号切换与隔离： 由于其小型化封装（如SOT-23等），该器件非常适合用于信号切换和隔离应用，例如音频信号切换、数据通信线路控制以及多路复用器设计。 4. 消费电子设备： ZXMP6A17DN8TA广泛应用于消费电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品中。这些设备需要紧凑的设计和高效的电源管理，而该MOSFET阵列正好满足这些需求。 5. 工业控制与自动化： 在工业领域，该器件可以用于电机驱动、继电器控制和传感器接口等场合。其高可靠性和稳定性使其能够在严苛环境下正常工作。 6. 汽车电子： 尽管主要面向消费类市场，但某些变体也可能被用于汽车电子中的简单开关功能，例如LED驱动、风扇控制或其他低压控制电路。 总结来说，ZXMP6A17DN8TA凭借其低导通电阻、小尺寸封装和高效性能，在电源管理、信号切换、电池保护以及各类消费电子和工业应用中表现出色，是许多现代电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOICMOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A17DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP6A17DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.15 W |
| Pd-功率耗散 | 2.15 W |
| Qg-GateCharge | 17.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 3.4 ns |
| 下降时间 | 11.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 637pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMP6A17DN8TR |
| 典型关闭延迟时间 | 26.2 ns |
| 功率-最大值 | 1.81W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 4.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
