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产品简介:
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Nexperia USA Inc. 的 BUK9K45-100E,115 是一款N沟道增强型MOSFET,属于FET晶体管中的阵列类型。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景中。 BUK9K45-100E,115的主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理,适用于服务器、电信设备和工业电源系统。 2. 电机控制:在无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动中作为功率开关,实现高效、精确的控制。 3. 汽车电子:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)以及车身控制模块,如车窗、座椅和灯光控制。 4. 工业自动化:适用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代和自动化设备中的高效率开关应用。 5. 消费电子:在高性能笔记本电脑、平板和智能家电中用于电源管理与负载切换。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(100V)和高电流能力,适合高频开关应用,有助于提高系统效率并减少散热需求。其封装形式适用于高密度PCB布局,提升了设计灵活性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK9K45-100E,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2152pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 5A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
| 其它名称 | 568-9902-1 |
| 功率-最大值 | 53W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A |