Datasheet下载- 型号： DMN63D8LV-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN63D8LV-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN63D8LV-7价格参考￥0.30-￥2.73。Diodes Inc.DMN63D8LV-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN63D8LV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN63D8LV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN63D8LV-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸的特点，适合用于多种高效能、空间受限的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 便携式电子设备： DMN63D8LV-7 的小型封装（如 DFN 或其他紧凑型封装）使其非常适合用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，用作负载开关或电源管理模块。 2. 电源管理： 该 MOSFET 阵列可用于 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）以及电池充电电路中，提供高效的开关性能和低功耗特性。 3. 负载开关： 在需要快速切换负载的场合，例如 USB 端口保护、音频放大器或传感器接口，DMN63D8LV-7 可以作为高性能负载开关使用。 4. 电机驱动： 小型家用电器或玩具中的小型直流电机驱动电路可能需要此类 MOSFET 阵列来实现精确控制和高效运行。 5. 信号切换： 在多路复用器或多通道信号切换应用中，DMN63D8LV-7 的低导通电阻有助于减少信号损耗并提高系统效率。 6. 消费类电子产品： 包括数码相机、游戏机控制器、蓝牙设备等在内的消费类电子产品中，该器件可用于电源管理或信号路由功能。 总结来说，DMN63D8LV-7 凭借其优异的电气特性和紧凑设计，广泛适用于需要高效率、低热耗散以及节省空间的各种现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 260MA SOT563MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 260 mA |
| Id-连续漏极电流 | 260 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN63D8LV-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN63D8LV-7 |
| Pd-PowerDissipation | 450 mW |
| Pd-功率耗散 | 450 mW |
| Qg-GateCharge | 0.87 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.87 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| 上升时间 | 3.2 ns |
| 下降时间 | 6.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 22pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.87nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 欧姆 @ 250mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | DMN63D8LV-7DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 260mA |
| 系列 | DMN63D8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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