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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI4965DY-T1-E3 是一款包含多个MOSFET的阵列器件,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器及电池供电设备中的高效能开关应用。 2. 负载开关:用于控制电源对负载的供应,如在服务器、计算机主板或工业控制系统中实现电源隔离与分配。 3. 马达驱动:在小型电机或步进电机驱动电路中作为功率开关使用。 4. LED照明:用于LED驱动电路中,实现恒流控制与调光功能。 5. 消费电子与工业设备:广泛应用于笔记本电脑、平板、通信设备及自动化控制系统中,作为高效能、小尺寸的功率开关元件。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高效率、高密度电源设计的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4965DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 450mV @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 21 毫欧 @ 8A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |