Datasheet下载- 型号： ZXMC4559DN8TC
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMC4559DN8TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMC4559DN8TC价格参考。Diodes Inc.ZXMC4559DN8TC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMC4559DN8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMC4559DN8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 ZXMC4559DN8TC 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，采用 SO-8 封装，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效功率控制和信号切换的场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池供电切换与负载控制；电源开关电路，用于DC-DC转换器中的同步整流，提升转换效率；电机驱动电路中作为低电压驱动开关，适用于小型直流电机或步进电机的控制；LED背光驱动和照明系统中的开关调节；以及各类消费类电子产品中的信号路由和电平转换。 由于其集成双MOSFET结构，ZXMC4559DN8TC 可减少PCB占用空间，提高系统集成度，适合对空间和功耗敏感的设计。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、家用电器和通信设备中的中低功率开关应用。总体而言，ZXMC4559DN8TC 是一种高性能、紧凑型的功率开关解决方案，适用于多种中低电流开关与电源管理场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXMC4559DN8TC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1063pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | ZXMC4559DN8TCDI |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A，2.6A |
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