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Datasheet下载- 型号： IRF7307TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7307TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7307TRPBF价格参考￥2.04-￥2.20。International RectifierIRF7307TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7307TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7307TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7307TRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号属于OptiMOS系列，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 IRF7307TRPBF 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动 该器件可用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型电机的驱动电路中，提供高效的开关性能和良好的热稳定性。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池保护和管理系统中，IRF7307TRPBF 可用于充放电控制、过流保护以及负载切换等功能。 4. 汽车电子 由于其可靠性高且适合高温环境，IRF7307TRPBF 常用于汽车电子系统，例如车身控制模块、电动助力转向（EPS）和车载充电器（OBC）。 5. 工业自动化 在工业领域，这款 MOSFET 阵列可用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和工业逆变器等设备，以实现精确的功率控制。 6. 消费电子产品 包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及其他便携式电子设备中的高效功率转换应用。 总之，IRF7307TRPBF 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计，成为需要高性能、低功耗解决方案的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 660 pF, 610 pF |
| 描述 | MOSFET N+P 20V 4.3A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 4.3A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.2 A, - 4.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7307TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7307TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 13.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC, 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms, 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | +/- 0.7 V |
| 上升时间 | 42 ns, 26 ns |
| 下降时间 | 51 ns, 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7307PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns, 51 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 1.4 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 13.3 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 8.3 S, 4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 4.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A，4.3A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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