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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4936CDY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4936CDY-T1-E3价格参考。VishaySI4936CDY-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4936CDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4936CDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4936CDY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列,属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。其主要应用场景包括: 1. 负载开关:SI4936CDY-T1-E3 适用于需要高效负载切换的电路中,例如便携式设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的电源管理模块。它的低导通电阻(Rds(on))特性可减少功率损耗并提高效率。 2. 电池保护与管理:在电池供电系统中,该器件可用于控制充电和放电路径,防止过流或短路情况的发生,从而保护电池免受损坏。 3. 信号切换:由于其快速开关速度和低电容特性,此 MOSFET 阵列适合用于音频信号切换、数据通信线路隔离等应用场合。 4. 电机驱动:小型直流电机驱动器可以利用 SI4936CDY-T1-E3 来实现高效的速度控制和方向切换功能,常见于消费电子产品、玩具及家用电器中。 5. 电源转换:在 DC-DC 转换器或降压/升压稳压器设计中,这款双 MOSFET 可作为同步整流器的一部分,以提升整体能效并降低热量产生。 6. 热插拔保护:在网络服务器、存储设备和其他高可靠性系统中,它能够提供精确的电流限制和电压调节,确保硬件组件安全地连接或断开。 7. LED 驱动:对于需要独立控制多个 LED 的背光显示或照明系统来说,该产品可以用来调节每条支路上的电流强度。 总之,SI4936CDY-T1-E3 凭借其紧凑的封装尺寸、优异的电气性能以及出色的热稳定性,在各种便携式电子设备、工业自动化设备以及汽车电子领域都有着广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A SO8 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI4936CDY-T1-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2.3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A |