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  • 型号: SI1553DL-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1553DL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1553DL-T1-E3价格参考。VishaySI1553DL-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI1553DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1553DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1553DL-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:用于控制电路中的电流流动,实现负载的开启和关闭,适用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)。
   - 低压降稳压器 (LDO):作为 LDO 的功率级元件,提供高效、低功耗的电压调节。
   - 电池保护:在电池管理系统中,防止过充、过放或短路。

 2. 信号切换
   - 多路复用器/解复用器:用于切换不同的信号路径,常见于通信设备和测试测量仪器。
   - 数据线路保护:通过快速开关特性,保护敏感电路免受过压或瞬态事件的影响。

 3. 消费类电子产品
   - 音频设备:用于耳机放大器或扬声器驱动器中的信号切换和功率控制。
   - 智能家居设备:如智能灯泡、智能插座等,用于控制电力输送和信号传输。

 4. 工业应用
   - 电机控制:在小型直流电机驱动中,用作功率开关,实现速度和方向控制。
   - 传感器接口:用于工业自动化系统中,控制传感器的供电和信号采集。

 5. 汽车电子
   - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和显示模块的电源管理。
   - 车身控制模块 (BCM):实现灯光、门窗等系统的开关控制。

 6. 通信设备
   - 网络交换机和路由器:用于电源分配和信号切换,确保高效运行。
   - 基站设备:在射频前端模块中,用于信号路径的切换和保护。

 特性优势
- 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。
- 小封装尺寸:节省 PCB 空间,便于设计紧凑型产品。
- 出色的热性能:支持长时间稳定运行。

综上所述,SI1553DL-T1-E3 凭借其高性能和可靠性,适用于多种领域,特别是在需要高效功率控制和信号切换的应用中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N/P-CH 20V 660MA SC70-6MOSFET 20V 0.7/0.44

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-连续漏极电流

700 mA

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1553DL-T1-E3TrenchFET®

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产品型号

SI1553DL-T1-E3SI1553DL-T1-E3

Pd-PowerDissipation

300 mW

Pd-功率耗散

300 mW

RdsOn-漏源导通电阻

320 mOhms, 850 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

16 ns, 20 ns

下降时间

16 ns, 20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

600mV @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.2nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

385 毫欧 @ 660mA, 4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6 (SOT-363)

其它名称

SI1553DL-T1-E3CT

典型关闭延迟时间

10 ns, 8.5 ns

功率-最大值

270mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

320 mOhms, 850 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

+/- 20 V

漏极连续电流

700 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

660mA,410mA

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

零件号别名

SI1553DL-E3

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