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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1553DL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1553DL-T1-E3价格参考。VishaySI1553DL-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI1553DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1553DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1553DL-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于控制电路中的电流流动,实现负载的开启和关闭,适用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)。 - 低压降稳压器 (LDO):作为 LDO 的功率级元件,提供高效、低功耗的电压调节。 - 电池保护:在电池管理系统中,防止过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 多路复用器/解复用器:用于切换不同的信号路径,常见于通信设备和测试测量仪器。 - 数据线路保护:通过快速开关特性,保护敏感电路免受过压或瞬态事件的影响。 3. 消费类电子产品 - 音频设备:用于耳机放大器或扬声器驱动器中的信号切换和功率控制。 - 智能家居设备:如智能灯泡、智能插座等,用于控制电力输送和信号传输。 4. 工业应用 - 电机控制:在小型直流电机驱动中,用作功率开关,实现速度和方向控制。 - 传感器接口:用于工业自动化系统中,控制传感器的供电和信号采集。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和显示模块的电源管理。 - 车身控制模块 (BCM):实现灯光、门窗等系统的开关控制。 6. 通信设备 - 网络交换机和路由器:用于电源分配和信号切换,确保高效运行。 - 基站设备:在射频前端模块中,用于信号路径的切换和保护。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 小封装尺寸:节省 PCB 空间,便于设计紧凑型产品。 - 出色的热性能:支持长时间稳定运行。 综上所述,SI1553DL-T1-E3 凭借其高性能和可靠性,适用于多种领域,特别是在需要高效功率控制和信号切换的应用中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 660MA SC70-6MOSFET 20V 0.7/0.44 |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-连续漏极电流 | 700 mA |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1553DL-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI1553DL-T1-E3SI1553DL-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 300 mW |
Pd-功率耗散 | 300 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 320 mOhms, 850 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 16 ns, 20 ns |
下降时间 | 16 ns, 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 600mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 385 毫欧 @ 660mA, 4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) |
其它名称 | SI1553DL-T1-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 10 ns, 8.5 ns |
功率-最大值 | 270mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 320 mOhms, 850 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SOT-363-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | +/- 20 V |
漏极连续电流 | 700 mA |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 660mA,410mA |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |
零件号别名 | SI1553DL-E3 |