Datasheet下载- 型号： NTLGD3502NT2G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLGD3502NT2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLGD3502NT2G价格参考。ON SemiconductorNTLGD3502NT2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLGD3502NT2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLGD3502NT2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLGD3502NT2G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列。该型号属于晶体管 - FET，MOSFET - 阵列类别，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 NTLGD3502NT2G 适用于各种电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、负载开关和低压降稳压器（LDO）。其低导通电阻特性可以减少功率损耗，提高效率。 2. 电池保护与管理 在便携式设备中，这款 MOSFET 阵列可用于电池保护电路，防止过充、过放或短路。它还能用于电池组的开关控制，确保安全运行。 3. 信号切换 由于其快速开关能力和低电容特性，NTLGD3502NT2G 可用于音频信号切换、数据线路切换和其他需要高频响应的应用。 4. 电机驱动 在小型电机驱动电路中，这款器件可以用作驱动开关，控制电机的启动、停止和方向切换。其双通道设计非常适合双极性或双电机应用。 5. 消费电子设备 该型号广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费电子产品中的电源管理和信号处理模块。 6. 工业自动化 在工业控制领域，NTLGD3502NT2G 可用于传感器接口、继电器驱动和信号隔离等场景，提供高效且可靠的开关功能。 7. 通信设备 对于通信系统中的信号路由和电源分配，这款 MOSFET 阵列能够满足高性能和低功耗的要求。 总之，NTLGD3502NT2G 凭借其紧凑的设计、高效性能和可靠性，成为许多现代电子系统中不可或缺的组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLGD3502NT2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN（3x3） |
| 功率-最大值 | 1.74W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A，3.6A |
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