ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7507TRPBF
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF7507TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF7507TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7507TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7507TRPBF价格参考。International RectifierIRF7507TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8™。您可以下载IRF7507TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7507TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7507TRPBF 是一款采用 SO-8 封装的 N 沟道 MOSFET 阵列，内置两个独立的 MOSFET 管芯，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该器件广泛应用于需要高效、紧凑型电源管理解决方案的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关电路中，提升转换效率，降低功耗，常见于笔记本电脑、平板电脑和通信设备的电源模块。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的控制电路，如打印机、扫描仪和便携式电动工具中的 H 桥驱动结构。 3. 电池供电设备：因其低导通电阻和低静态电流，适合用于智能手机、移动电源等对能效要求高的便携式电子产品。 4. 热插拔与电源切换：可用于实现安全的电源切换和过流保护功能，在服务器、网络设备和工业控制系统中提供可靠的电源管理。 5. LED 驱动：在多路 LED 背光或照明系统中作为开关元件，实现精确的亮度控制和节能运行。 IRF7507TRPBF 符合 RoHS 标准，无铅环保，具备良好的抗干扰能力和可靠性，适合自动化贴片生产，广泛用于消费电子、工业控制和通信领域。其紧凑的封装和高性能特性使其成为空间受限且追求高效率设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A, - 1.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7507TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7507TRPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Qg-GateCharge | 5.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.135 Ohms, 0.27 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V, - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | IRF7507TRPBF-ND |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 封装/箱体 | Mirco-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 5.3 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 2.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A，1.7A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
