Datasheet下载- 型号： SI4972DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4972DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4972DY-T1-E3价格参考。VishaySI4972DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4972DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4972DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4972DY-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于需要高效开关和电源管理的电子系统中。该器件采用TSSOP封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适用于对空间和效率要求较高的设计。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提升电源转换效率。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机控制电路中作为高效开关使用。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中，用于降低功耗并延长电池寿命。 4. 负载切换与保护：用于智能电源分配系统，实现对不同负载的快速切换与过流保护。 5. 工业控制与自动化：作为工业设备中的功率开关，控制执行器、继电器或传感器模块的通断。 SI4972DY-T1-E3因其双MOSFET集成设计，有助于减少PCB面积和元件数量，提高系统可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4972DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1080pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14.5 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4972DY-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 3.1W，2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.8A，7.2A |
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