Datasheet下载- 型号： SI5504BDC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5504BDC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5504BDC-T1-E3价格参考。VishaySI5504BDC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5504BDC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5504BDC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5504BDC-T1-E3 是一款包含两个P沟道MOSFET的场效应晶体管（FET）阵列器件，常用于需要高效电源管理和负载切换的应用场景。该器件采用小型封装，适合对空间要求较高的设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关控制，如笔记本电脑、平板电脑和手持设备，实现对不同模块的独立供电控制，提升能效并延长电池寿命。 2. DC-DC转换器：在同步整流电路中作为高频开关元件，提高转换效率，降低导通损耗。 3. 电机驱动与继电器替代：用于低功率电机控制或固态继电器设计，具备更高的可靠性和更长的使用寿命。 4. 工业自动化与控制系统：在PLC或其他控制模块中作为高速开关元件，控制执行机构或传感器的供电。 5. 热插拔电路：支持在不断电系统中安全插入或移除模块，防止电流冲击。 SI5504BDC-T1-E3凭借其低导通电阻、小尺寸和高可靠性，广泛应用于便携式电子产品、通信设备及工业控制系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8MOSFET 30V 4.0/3.7A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5504BDC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5504BDC-T1-E3SI5504BDC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 4.5 nC, 4.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.5 nC, 4.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 53 mOhms, 112 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 53 mOhms, 112 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 nS, 10 nS |
| 下降时间 | 5 nS, 5 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 典型关闭延迟时间 | 10 nS, 10 nS |
| 功率-最大值 | 3.12W，3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S, 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A，3.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI5504BDC-E3 |
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