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  • 型号: NTLJD4116NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD4116NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD4116NT1G价格参考。ON SemiconductorNTLJD4116NT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLJD4116NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLJD4116NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTLJD4116NT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效、低功耗开关控制的场合。该器件内部集成了多个MOSFET,通常用于简化电路设计并提高集成度。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关电路中,实现高效的能量传输与管理,适用于笔记本电脑、平板及移动设备中的电源系统。

2. 负载开关:作为负载开关控制元件,用于控制电池供电系统中的负载连接与断开,具备低导通电阻,有助于减少功耗和发热。

3. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的驱动控制,尤其在需要多路开关控制的场合。

4. LED背光驱动:在显示设备中用于LED背光的开关控制,支持多路LED独立控制,提升显示效果与能效。

5. 工业控制:用于PLC、工业自动化设备中的信号切换与功率控制,具备良好的稳定性和耐用性。

总之,NTLJD4116NT1G凭借其集成化设计、低导通电阻和小封装特性,广泛应用于便携设备、消费电子、工业控制及通信设备中,适合需要多通道高效开关控制的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CHAN DUAL 30V 6-WDFN

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTLJD4116NT1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

427pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

70 毫欧 @ 2A,4.5V

供应商器件封装

6-WDFN(2x2)

功率-最大值

710mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A

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