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产品简介:
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NTLJD4116NT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效、低功耗开关控制的场合。该器件内部集成了多个MOSFET,通常用于简化电路设计并提高集成度。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关电路中,实现高效的能量传输与管理,适用于笔记本电脑、平板及移动设备中的电源系统。 2. 负载开关:作为负载开关控制元件,用于控制电池供电系统中的负载连接与断开,具备低导通电阻,有助于减少功耗和发热。 3. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的驱动控制,尤其在需要多路开关控制的场合。 4. LED背光驱动:在显示设备中用于LED背光的开关控制,支持多路LED独立控制,提升显示效果与能效。 5. 工业控制:用于PLC、工业自动化设备中的信号切换与功率控制,具备良好的稳定性和耐用性。 总之,NTLJD4116NT1G凭借其集成化设计、低导通电阻和小封装特性,广泛应用于便携设备、消费电子、工业控制及通信设备中,适合需要多通道高效开关控制的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 6-WDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJD4116NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 427pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 2A,4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A |