Datasheet下载- 型号： SI7913DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7913DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7913DN-T1-E3价格参考。VishaySI7913DN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7913DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7913DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7913DN-T1-E3是一款双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于各种电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：该器件适用于降压或升压型DC-DC转换器，作为开关元件使用，提供高效的功率转换。 - 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，用作负载开关以控制电路的通断，降低功耗。 - 电池管理：用于电池充电和保护电路中，实现快速切换和低导通电阻。 2. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，用于信号路径的切换，确保信号传输的高效性和稳定性。 - 适用于音频和视频信号切换，提供低噪声和高线性度的性能。 3. 电机驱动 - 用于小型直流电机驱动电路中，作为H桥或半桥驱动的一部分，实现电机的正转、反转和制动功能。 - 适合玩具、家用电器等需要简单电机控制的应用场景。 4. 通信设备 - 在通信模块中，用于信号放大器的供电控制或射频开关应用。 - 提供低电容和快速开关特性，适用于高频通信系统。 5. 消费类电子产品 - 应用于USB接口保护、数据线切换、充电管理等场合，确保设备的安全性和可靠性。 - 在游戏机、音响设备等产品中，用于功率分配和信号处理。 6. 工业控制 - 用于工业自动化设备中的传感器信号切换、继电器替代等场景。 - 提供高可靠性和长寿命的优势，适用于恶劣的工作环境。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 小型封装（如DFN8L）：节省PCB空间，适合紧凑设计。 - 高开关速度：支持高频应用，降低开关损耗。 - 出色的热性能：提高系统的稳定性和可靠性。 综上所述，SI7913DN-T1-E3凭借其优异的电气特性和紧凑封装，成为多种应用领域的理想选择，尤其在便携式设备、电源管理和信号切换领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72615 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7913DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7913DN-T1-E3SI7913DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 37 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 70 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 7.4A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7913DN-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7913DN-E3 |
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