Datasheet下载- 型号： BSO612CV
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO612CV由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO612CV价格参考。InfineonBSO612CV封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO612CV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO612CV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的BSO612CV是一款MOSFET阵列器件，属于功率晶体管中的FET类别。该器件通常包含多个MOSFET晶体管集成在一个封装中，具有高集成度和高效能的特点。 BSO612CV主要应用于需要高效功率管理与控制的电子系统中，例如： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、电源开关等场景，提供高效的能量转换和稳定的电压调节。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如风扇、泵类设备及自动化控制系统中的执行机构。 3. 工业自动化设备：在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块及其他工业控制装置中实现快速开关和负载管理。 4. 汽车电子系统：如车载充电系统、照明控制、电动助力转向系统等，满足汽车环境对可靠性和耐久性的要求。 5. 消费电子产品：用于笔记本电脑、打印机、智能家电等设备中的功率控制部分。 由于其集成设计和优良的热性能，BSO612CV适用于空间受限但需高可靠性和效率的应用场合，有助于简化电路设计并提高整体系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSO612CV |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | P-DSO-8 |
| 其它名称 | BSO612CVINCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A，2A |
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