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Datasheet下载- 型号： IRF7503TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7503TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7503TRPBF价格参考。International RectifierIRF7503TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7503TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7503TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7503TRPBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的晶体管 - FET，MOSFET - 阵列型号。它是一种双N沟道增强型MOSFET阵列，集成在一个封装中，广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - IRF7503TRPBF常用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和负载开关等电源管理系统中。它的低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 - 在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中，该器件可用于动态电源分配和管理。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。由于其快速开关特性和较低的导通损耗，IRF7503TRPBF能够高效地控制电机的启停和速度。 3. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，该器件可以作为信号切换元件使用。例如，在音频设备中切换不同的输入信号源。 4. 电池保护与管理 - 用于锂离子电池组的保护电路中，实现过流保护、短路保护以及电池充放电控制。其低导通电阻有助于减少电池内部的发热问题。 5. 通信设备 - 在基站、路由器或其他通信设备中，IRF7503TRPBF可用于功率分配网络，确保各个模块获得稳定的供电。 6. 消费类电子产品 - 应用于电视、音响系统、游戏机等消费类电子产品中的电源管理和信号处理部分。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中，用于驱动传感器、执行器或其他低功率负载，提供可靠的开关功能。 总结 IRF7503TRPBF凭借其高可靠性、低功耗和紧凑封装的特点，适合各种需要高效开关和功率管理的应用场景。其具体应用取决于设计需求和电路配置，但主要集中在电源管理、电机驱动、信号切换和电池保护等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7503TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7503TRPBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Qg-GateCharge | 7.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 5.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 135 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | IRF7503TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 135 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 封装/箱体 | Micro-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 7.8 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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