Datasheet下载- 型号： SI9926CDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9926CDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9926CDY-T1-GE3价格参考。VishaySI9926CDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9926CDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9926CDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI9926CDY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中不同负载的开启与关闭，实现高效的电源分配。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为开关元件，提供高效率的能量转换。 - 电池管理：适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的电池充放电控制。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用：在需要切换多个信号路径的应用中，如数据采集系统或多通道音频设备。 - GPIO 扩展：在微控制器或嵌入式系统中扩展 GPIO 功能，驱动更高电流的负载。 3. 电机控制 - 小型直流电机驱动：用于玩具、家用电器等场景中的电机启停和速度调节。 - H 桥电路：实现电机的正反转控制，适合低功率应用。 4. 消费电子 - USB 端口保护：在 USB 充电或数据传输接口中，防止过流或短路。 - 音频放大器：用于低功率音频设备中的信号放大和驱动。 5. 通信设备 - 射频前端切换：在无线通信模块中，用于切换不同的射频路径。 - 天线调谐：优化天线性能，适应不同频率的信号。 6. 工业自动化 - 传感器接口：用于工业传感器的信号调理和驱动。 - 继电器替代：在需要快速开关响应的场合，取代传统的机械继电器。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 小封装（TSSOP-8L）：节省 PCB 空间，适合紧凑设计。 - 高开关速度：支持高频应用，降低电磁干扰。 - 优异的热性能：确保长时间稳定运行。 总之，SI9926CDY-T1-GE3 凭借其高性能和可靠性，成为许多低功率、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOICMOSFET 20V 8.0A 3.1W 18mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI9926CDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI9926CDY-T1-GE3SI9926CDY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 10 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 8.3A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI9926CDY-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns, 25 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI9926CDY-GE3 |
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